规格书WILLSEMI韦尔ESD54291Z05
WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时,WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整,OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度,以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。
特点:
· 输入电压:29V
· 导通电阻:45mΩ(典型值)
· 超快OVP响应时间:450ns(典型值)
· 可调OVLO
· 阈值电压:4V~15V
应用:
· 手机和平板电脑
· 便携式媒体播放器
· STB、OTT(机顶盒、互联网电视)
· 汽车DVR、汽车媒体系统外设
WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值,为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用,符合环保标准。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WS4612EDA-5/TR 功率电子开关 封装:SOT-23-5L。规格书WILLSEMI韦尔ESD54291Z05
WD1502F:28V,2A降压型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)转换器
WD1502F是一款高效率、同步降压型DC-DC转换器。它可以在4.5V至28V的输入电压范围内工作,并提供高达2A的连续输出电流。内部同步功率开关可在不使用外部肖特基二极管的情况下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定开关频率工作,并采用脉冲宽度调制(PWM)。在轻负载电流时,它会进入脉冲跳变调制(PSM)操作,以在整个负载电流范围内保持高效率和低输出纹波。WD1502F具有短路保护、热保护和输入欠压锁定功能。它采用TSOT-23-6L封装,为标准无铅和无卤素产品。
其主要特性包括:
· 宽范围4.5V~28V的工作输入电压
· 典型的650kHz开关频率
· 2A连续输出电流
· 低至2μA的关机电流,60μA的静态电流
· 内部5mS软启动
· 峰值效率>94%
· 150mΩ内部功率HSMOSFET开关
· 75mΩ内部同步LSMOSFET开关
· 逐周期过流保护
应用领域包括:
· 12V、24V分布式电源总线供电
· 工业应用
· 白色家电
· 消费类应用
WD1502F适用于需要高效、紧凑和可靠电源转换的多种应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56381D22WPM2019-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-523-3。
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET
产品描述:
WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 适用于更高的直流电流
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
· DC-DC转换电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电应用
WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-3L(1x0.6)。
WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。
主要特性:
· 输入电压范围:2.5V至5.5V
· 输出电压范围:1.2V至3.3V
· 输出电流:500mA
· PSRR:在1KHz时为65dB
· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV
· 输出噪声:100μV
· 静态电流:典型值为150μA
应用领域:
· 液晶电视(LCD TV)
· 机顶盒(STB)
· 计算机、显卡
· 网络通信设备
· 其他便携式电子设备
WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 WH251E-3/TR 霍尔传感器 封装:TSOT-23-3L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56381D22
WD1502F-6/TR DC-DC电源芯片 封装:TSOT-23-6L。规格书WILLSEMI韦尔ESD54291Z05
WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。
特性:
· 输入电压范围:2.5~5.5V
· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V
· 持续输出电流:1.0A
· 电流限制阈值:1.5A(典型值)
· 电流限制精度:±20%
· 输出短路电流:0.7A(典型值)
· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用:
· USB外设USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD54291Z05