代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56431N
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括:
1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。
3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。
4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESDA6V1W5-5/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-353。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56431N
ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性:
· 截止电压:±3.3V
· 根据IEC61000-4-2标准,提供±30kV(接触放电)的ESD保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,提供10A(8/20μs)的浪涌保护
· 电容:典型值为17.5pF
· 低泄漏电流:典型值为1nA
· 低钳位电压:在脉冲电流为16A(TLP)时,典型值为8V。
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 计算机和外设:为计算机主板、显示器、键盘等
· 微处理器
· 电源线
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色,封装紧凑,环保特性强,广泛应用于手机、计算机和便携式设备,确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息,请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WL2836DESD54211N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:WBFBP-02C-C。
WAS4729QB:低导通电阻(0.8Ω)双SPDT模拟开关,具有负摆幅音频功能
产品描述:
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷(SPDT)模拟开关,具有负摆幅音频功能,其典型导通电阻Ron为0.8Ω(在3.6VVCC下)。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作,并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路,即使在控制电压低于VCC电源电压时,也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用,因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口,同时极大限度地减少电池消耗。换句话说,在实际应用中,无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压:2.3V~5.5V
极低导通电阻:0.8Ω(在3.6V下)
高关断隔离度:-81dB@1KHz
串扰抑制:-83dB@1KHz-3dB带宽:80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV
电源至GND:±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关,专为移动设备设计,适合音频和视频信号路由,性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。
WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器
产品描述
WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。
WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。
封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。
产品特性
输入电压:2.5V~5.5V
输出电压:1.2V~3.3V
输出电流:500mA
PSRR:65dB@1KHz
压差电压:130mV@IOUT=0.5A
输出噪声:100uV
静态电流:150μA(典型值)
应用领域
LCD电视
机顶盒(STB)
计算机和图形卡
网络通信设备
其他便携式电子设备
WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。
ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 ESD54191CZ-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DWN0603-2L。规格书WILLSEMI韦尔WL2811EA
SS24 肖特基二极管 封装:SMA(DO-214AC)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56431N
WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。
主要特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 优异的开启电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56431N