规格书WILLSEMI韦尔WNM02143DN

    WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点：

· 输入电压：29V

· 导通电阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）

· 可调OVLO

· 阈值电压：4V~15V

应用：

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN-10(1.8x1.4)。规格书WILLSEMI韦尔WNM02143DN

ESD56151Wxx：电源保护新选择

     ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器，是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V，有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准，为电路提供强大的浪涌保护，同时遵循IEC61000-4-2标准，提供±30kV的ESD保护。 

     ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计，能迅速将电压限制在安全范围内，减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性，确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 

     这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景，如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口，提高设备稳定性和可靠性，延长使用寿命，降低维修和更换成本。 

     安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPM3401AWMM7027ATHD1-4/TR MEMS麦克风（硅麦） 封装：SMD-4P,1.9x2.8mm。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 WS7802DE-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装：DFN-6L(1.1x0.7)。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

· 截止电压：±3.3VMax

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏电流低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WPM2341A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔WL2848D

WS74199Q-10/TR 电流感应放大器 封装：WQFN-10(1.4x1.8)。规格书WILLSEMI韦尔WNM02143DN

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM02143DN