江西COB封装定制

随着科技的不断进步，半导体行业正经历着一场由微型化和集成化驱动的变革。系统级封装（System in Package，简称SiP）技术，作为这一变革的主要，正在引导着行业的发展。SiP技术通过将多个功能组件集成到一个封装中，不只有效节省空间，实现更高的集成度，还提高了性能，这对于追求高性能和紧凑设计的现代电子产品至关重要。SiP被认为是超越摩尔定律的必然选择。什么是SiP技术？SiP（System in Package）技术是一种先进的封装技术，它允许将多个集成电路（IC）或者电子组件集成到一个单一的封装中。这种技术可以实现不同功能组件的物理集成，而这些组件可能是用不同的制造工艺制造的。SiP技术的关键在于它提供了一种方式来构建复杂的系统，同时保持小尺寸和高性能。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。江西COB封装定制

SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统，整合在一个单位中。区别在于SOC是从设计的角度出发，将系统所需的组件高度集成到一块芯片上；SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。从某种程度上说：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和组件）。SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体，SiP封装基板具有薄形化、高密度、高精度等技术特点，为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。天津IPM封装工艺SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。

模拟模块无法从较低的工艺集成中受益。正因为如此，并且由于试图将模拟模块保留在sperate工艺技术（BCD，BiCMOS，SiGe）上的复杂性增加，这使得SiP成为缩小系统尺寸的更具吸引力的选择。天线、MEMS 传感器、无源元件（例如：大电感器）等外部器件无法装入 SoC。因此，工程师需要使用SiP技术为客户提供完整的解决方案。交付模块而不是芯片是一种趋势，由于无线应用（如蓝牙模块）而开始，以帮助客户快速进入市场，而无需从头开始设计。相反，他们使用由整个系统组成的SiP模块。SiP系统级封装以其更小、薄、轻和更多功能的竞争力，为芯片和器件整合提供了新的可能性。

近年来，半导体公司面临更复杂的高集成度芯片封装的挑战，消费者希望他们的电子产品体积更小，性能参数更高，功耗更低，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装工艺的提升，对于解决这些挑战具有重要意义。当前和未来的芯片封装工艺，对于提高系统性能，增加使用功能，降低系统功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。模块划分是指从电子设备中分离出一块功能，既便于后续的整机集成又便于SiP封装。SiP工艺技术难点：清洗，定制清洗设备、清洗溶液要求、清洗参数验证、清洗标准制定；植球，植球设备选择、植球球径大小、球体共面性检查、BGA测试、助焊剂残留要求等；基板，陶瓷基板的设计及验证难度高，工艺难度高，加工成本高；有机基板的导热性差，容易导致IC焊接处电气链接失效。SiP封装基板具有薄形化、高密度、高精度等技术特点。辽宁WLCSP封装定制

先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。江西COB封装定制

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。江西COB封装定制