南通WLCSP封装工艺

PoP(Package-on-Package)，是用于将逻辑器件和存储器器件进行叠层封装的技术。通常情况下底层多为逻辑器件，例如移动电话基带（调制解调器）处理器或应用处理器，上层为存储器，例如闪存或者叠层内存芯片。显然，这种垂直组合封装的一个优点是节省了电路板空间。适用于需要在更小空间内实现更多功能的应用，例如数码相机、PDA、MP3 播放器和移动游戏设备等。POP的工艺流程，PoP的组装方式目前有两种。一种是预制PoP工序，即先将PoP的多层封装堆叠到一起，焊接成一个元器件，再贴装到PCB上，然后再进行一次回流焊。一种是在板PoP工序上，依次将底部的BGA和顶部BGA封装在PCB上，然后过一次回流焊。据报告，2022年，SiP系统级封装市场总收入达到212亿美元。南通WLCSP封装工艺

SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。这么看来，SiP 和 SoC 极为相似，两者的区别是什么？能较大限度地优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本、提高集成度。对比 SoC，SiP 具有灵活度高、集成度高、设计周期短、开发成本低、容易进入等特点。而 SoC 发展至今，除了面临诸如技术瓶颈高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生产良率低等技术挑战尚待克服外，现阶段 SoC 生产成本高，以及其所需研发时间过长等因素，都造成 SoC 的发展面临瓶颈，也造就 SiP 的发展方向再次受到普遍的讨论与看好。湖北系统级封装型式随着SiP系统级封装、3D封装等先进封装的普及，对固晶机设备在性能方面提出了更高的需求。

SIP工艺解析：表面打标，打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，主要介绍激光印码。测试，它利用测试设备(Testing Equipment)以及自动分选器(Handler)，测定封装IC的电气特性，把良品、不良品区分开来;对某些产品，还要根据测试结果进行良品的分级。测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序，如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。

为了在 SiP 应用中得到一致的优异细间距印刷性能，锡膏的特性如锡粉尺寸、助焊剂系统、流变性、坍塌特性和钢网寿命都很重要，都需要被仔细考虑。合适的钢网技术、设计和厚度，配合印刷时使用好的板支撑系统对得到一致且优异的锡膏转印效率也是很关键的。回流曲线需要针对不同锡膏的特性进行合适的设计来达到空洞较小化。从目前的01005元件缩小到008004，甚至于下一代封装的0050025，锡膏的印刷性能变得非常关键。从使用 3 号粉或者 4 号粉的传统表面贴装锡膏印刷发展到更为复杂的使用 5、6 号粉甚至 7 号粉的 SiP 印刷工艺。新的工艺钢网开孔更小且钢网厚度更薄，对可接受的印刷锡膏体积的差异要求更为严格。除了必须要印刷更小和更薄的锡膏沉积，相邻焊盘的间隙也更小了。有些厂家已经开始尝试50 μm 的焊盘间隙。SiP 封装采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小。

SiP 封装优势：1）封装面积增大，SiP在同一个封装种叠加两个或者多个芯片。把垂直方向的空间利用起来，同时不必增加引出管脚，芯片叠装在同一个壳体内，整体封装面积较大程度上减少。2）采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小，先进的封装技术可以实现多层芯片堆叠厚度。3）所有元件在一个封装壳体内，缩短了电路连接，见笑了阻抗、射频、热等损耗影响。提高了光，电等信号的性能。4）SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。辽宁SIP封装测试

从某种程度上说：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和组件）。南通WLCSP封装工艺

随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。南通WLCSP封装工艺