天津半导体芯片特种封装工艺

芯片上集成的基本单元是晶体管Transistor，我们称之为功能细胞 (Function Cell)，大量的功能细胞集成在一起形成了芯片。封装内集成的基本单元是上一步完成的裸芯片或者小芯片Chiplet，我们称之为功能单元 (Function Unit)，这些功能单元在封装内集成形成了SiP。PCB上集成的基本单元是上一步完成的封装或SiP，我们称之为微系统(MicroSystem)，这些微系统在PCB上集成为尺度更大的系统。可以看出，集成的层次是一步步进行的，每一个层次的集成，其功能在上一个层次的基础上不断地完善，尺度在也不断地放大。金属封装应用于各类集成电路、微波器件、光通器件等产品，应用领域较为普遍。天津半导体芯片特种封装工艺

VQFN，一种应用于微电子元器件上的封装方法，VQFN（Very-thin quad flat no-lead），译为超薄无引线四方扁平封装，是一种应用于微电子元器件上的封装方法（基于QFN）。德州仪器公司和部分公司（如艾特梅尔公司）作为其主要生产商。其特点正如其译名：减少了铅的使用、准芯片级的封装、厚度小、重量轻，极适合那些对尺寸重量有苛刻需求的厂家。VQFN的优点是无铅使用、体积小、薄、重量轻，热性能、导电性能稳定理想。这种封装技术的缺点依赖于其特性。小体积的焊点和大面积的裸露焊盘使得装配过程中元件部分很容易浮在焊盘下融化的大量焊锡中。这会导致虚焊。而又由于VQFN出色的导热性能，返修重焊是很困难的。所以VQFN封装技术的制造成功率低，返修维护困难。江苏半导体芯片特种封装方式D-PAK 封装由一个塑料外壳和多个引脚组成，外形类似于一个长方形盒。

目前，在常规PCB板的主流产品中，线宽/线距50μm/50μm的产品属于档次高PCB产品了，但该技术仍然无法达到目前主流芯片封装的技术要求。在封装基板制造领域，线宽/线距在25μm/25μm的产品已经成为常规产品，这从侧面反映出封装基板制造与常规PCB制造比，其在技术更为先进。封装基板从常规印制电路板中分离的根本原因有两方面：一方面，由于PCB板的精细化发展速度低于芯片的精细化发展速度，导致芯片与PCB板之间的直接连接比较困难。另一方面，PCB板整体精细化提高的成本远高于通过封装基板来互连PCB和芯片的成本。

贴片技术（SMT），这些SOT封装的芯片并不是像Wafer那样一盘几万颗，它的包装形式如图4-80（a）所示的载带（Tape）的方式包装，载带卷成圆盘如图4-80（b）所示。图4-80（b）所示的载带卷轴是SMT设备所接受的标准包装，类比于Wafer是纽豹TAL-15000所接受的标准包装一样。（a）封装载带图 （b）封装载带卷轴图，SMT是表面组装技术（表面贴装技术，Surface Mount Technology的缩写），是目前电子组装行业里流行的一种技术和工艺。一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40%～60%，重量减轻60%～80%，且具有可靠性高、抗震能力强、高频特性好等特点。同时易于实现自动化，提高生产效率，降低成本。在超高频RFID应用中，较常使用的是电子器件生命周期管理和特种标签。可以回顾图4-25，只需要在电子产品的主板上合适的位置SMT上电子标签芯片，并在PCB板上设计天线即可。IC封装，IC(Integrated Circuit)封装是将多个半导体器件（二极管、三极管、MOS管、电容、电阻等）。

电源制作所需器件封装种类详解：一、电解电容器封装，电解电容器封装种类有SMD、DIP、Snap-in等。其中，Snap-in适合制作大容量电源；DIP适合制作小功率电源；SMD适合POE电源等应用。在选择电解电容器封装时，需要注意电容器工作电压、电容量、较大温度等参数。二、电感器封装，电感器封装种类有SMD、DIP、Radial等。其中，SMD适合制作轻便小型电源；DIP适合制作小功率电源；Radial适合制作高功率电源。在选择电感器封装时，需要注意电感值、较大电流、较大直流电阻等参数。TO 封装具有高速、高导热的优良性能。重庆特种封装供应

LGA封装通常在高频率和高速通信的应用中使用。天津半导体芯片特种封装工艺

按基板的基体材料，基板可分为有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）及复合系三大类。一般来说，无机系基板材料具有较低的热膨胀系数，以及较高的热导率，但是具有相对较高的介电常数，因此具有较高的可靠性，但是不适于高频率电路中使用；有机系基板材料热膨胀率稍高，散热较差，但是具有更低的介电常数，且质轻，便于加工，便于薄型化。同时由于近几十年内聚合物材料的不断发展，有机系基板材料的可靠性有极大提升，因此己经被普遍应用。天津半导体芯片特种封装工艺