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    激光巴条的三倍以上(激光巴条的热膨胀系数在℃附近)，导致不良可靠性与寿命短的问题，若使用铜钨金属块，可达成匹配的热膨胀系数，但铜钨的热导及导电性远不及铜，导致激光器运作时的散热问题，进而引起一系列导电性缺陷，一样可靠度不佳。目前新的封装方式，是把激光巴条共金黏合陶瓷材料的热沉基板上，陶瓷热沉基板轻薄、散热佳，且热膨胀系数与激光半导体匹配，因此目前的堆叠激光巴条都采用此种陶瓷结构，但陶瓷材料为绝缘体，组装激光巴条时需要将激光器电极层与电极引线连接。如图1所示，激光器101一般由多个巴条102及多个热沉基板103堆叠而成，具体地，巴条102的上表面(n面)设置有上电极层104，下表面设置有下电极层105(p面)，下电极层105位于巴条102与热沉基板103之间，上电极层104与外部电流连接的负极引线，下电极层105与外部电流连接的正极引线。但这种设置方式，一个巴条102对应一组正负电极引线，对于一些大功率激光器而言，需同时堆叠多个巴条102，会导致电极引线过多，引发散热问题，且电极引线过多会增加激光器101的设计复杂度，增加电连接接触不良问题，不利于激光器101的性能稳定性的提升。江苏半导体激光加工按需定制。上海比较好的半导体激光加工成交价

    连接件可以连接激光器模组的n面及第二激光器模组的n面，以实现激光器模组与第二激光器模组的并联设置。本申请进一步提出第五实施例的半导体激光器，如图6所示，本实施例半导体激光器601与上述实施例半导体激光器401的区别在于：本实施例的连接件607连接激光器模组608的p面及第二激光器模组609的p面，第二连接件610连接第二激光器模组609的n面及第三激光器模组611的p面。具体地，激光器模组608的巴条602的上表面为半导体n面，巴条602的下表面为半导体p面，第二激光器模组609的第二巴条603的上表面为半导体p面，第二巴条603的下表面为半导体n面，第三激光器模组611第三巴条604的上表面为半导体p面，第三巴条604的下表面为半导体n面，上电极层605及第三下电极层606与负电极引线a连接，下电极层605和与正电极引线b连接。通过上述设置，能够实现三个激光器模组的串并联设置，能够减少激光器的电极引线数量。本申请进一步提出第六实施例的半导体激光器，如图7所示，本实施例半导体激光器701与上述实施例半导体激光器601的区别在于：本实施例的连接件713连接激光器模组714的p面及第二激光器模组715的p面，第二连接件717连接第二激光器模组715的n面及第三激光器模组716的n面。本地半导体激光加工工厂直销江苏直销半导体激光加工设备。

    砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。半导体复合发光达到受激发射（即产生激光）的必要条件是：①粒子数反转分布分别从P型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时，占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数，就形成了粒子数反转分布。②光的谐振腔在半导体激光器中，谐振腔由其两端的镜面组成，称为法布里一珀罗腔。③高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。半导体激光器优点：体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。

    激光器的结构基本上就是把普通双异质结（DH）激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器，通常把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱（MQW).量子阱激光器单个输出功率现已大于1W，承受的功率密度已达10MW/cm3以上）而为了得到更大的输出功率，通常可以把许多单个半导体激光器组合在一起形成半导体激光器列阵。因此，量子阱激光器当采用阵列式集成结构时，输出功率则可达到l00w以上.高功率半导体激光器（特别是阵列器件）飞速发展，已经推出的产品有连续输出功率5W,10W,20W和30W的激光器阵列.脉冲工作的半导体激光器峰值输出功率50W、120W和1500W的阵列也已经商品化。一个cmx9cm的二维阵列，其峰值输出功率已经超过45kW。峰值输出功率为350kW的二维阵列也已间世。半导体激光器从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器（连续输出功率在100W以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器）在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率增加。桠大地推勤了板级封装雷路的微小化追程；

    激光器领域，特别是涉及一种半导体激光器。背景技术：半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器。其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场，也是固体激光器的发展方向。并且，它已渗透到各个学科领域，例如：激光信息存储与处理、激光材料加工、激光医学及生物学、激光通讯、激光印刷、激光光谱学、激光化学、激光分离同位素、激光核聚变、激光投影显示、激光检测与计量及激光技术等，极大地促进了这些领域的技术进步和前所未有的发展。本申请的发明人在长期的研发中发现，当前在大功率激光器封装技术的研究主要集中在激光器的工艺，而在可靠性和散热方面的相关研究较少，现有的大功率激光器一般采用激光巴条堆叠的方式，一是使用铟(indium)、或金锡共金，将激光巴条与电导体铜块黏合串连，但由于铜块金属的热膨胀系数(thermalexpansioncoefficient,tce)高达17e-6/℃。江苏大型半导体激光加工供应商家。天津好的半导体激光加工哪里买

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