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    根据至少一个实施方式，激光辐射具有如下比较大强度的波长，所述波长位于近紫外光谱范围中。近紫外光谱范围尤其表示在200nm和420nm之间或在320nm和420nm之间的波长，其中包括边界值。替选地，半导体激光器设计用于：发射可见的激光辐射，例如蓝色的激光辐射或红色的激光辐射。蓝光推荐涉及至少420nm和/或比较高490nm的主波长。尤其将在600nm和700nm之间的主波长理解为红光，其中包括边界值。还可行的是：激光辐射为近红外辐射，即为比较大强度的波长例如在700nm和1600nm之间的辐射，其中包括边界值。同样地，能够产生在490nm和600nm之间的绿色或黄色光谱范围中的激光辐射。根据至少一个实施方式，半导体激光器具有p型接触层。p型接触层推荐直接处于p型区域处。此外，p型接触层设置用于将电流直接注入到p型区域中。 江苏智能半导体激光加工批量定制。吉林好的半导体激光加工价钱

    中文名半导体激光器外文名Semiconductorlaser发明年份1962年目录1仪器简介2激光器3工作原理4封装技术5决定因素6损耗关系7发展概况简介小功率高功率8产品分类9发展过程10其他资料1112工业1314特性半导体激光器仪器简介编辑图1激光器半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。四川智能半导体激光加工欢迎选购江苏小型半导体激光加工按需定制。

    为了方便描述本申请合简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请首先提出一种半导体激光器，如图2所示，图2是本申请半导体激光器实施例的结构示意图。本实施例半导体激光器201至少包括：热沉基板202、激光器模组203、第二激光器模组204及连接件205，其中，热沉基板202包括相对设置的上表面及下表面，热沉基板202设置有至少一个通孔(图未标)，通孔从上表面贯穿至下表面；激光器模组203设置在热沉基板202的上表面；第二激光器模组204设置在热沉基板202的下表面；连接件205容置于通孔内；其中，激光器模组203与第二激光器模组204通过连接件205电连接。具体地。

    连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的p面。该技术方案能够实现激光器模组和第二激光器模组并联设置，能够减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，第二热沉基板设置有从上表面贯穿至下表面的至少一个第二通孔，半导体激光器进一步包括：第三热沉基板；第三激光器模组，位于第二热沉基板的下表面与第三热沉基板的上表面之间；第二连接件，容置于第二通孔内；其中，第二激光器模组与第三激光器模组通过第二连接件连接。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的p面，第二连接件连接第二激光器模组的n面及第三激光器模组的p面。该技术方案能够实现三个激光器模组的串并联设置，能够减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的p面，第二连接件连接第二激光器模组的n面及第三激光器模组的n面；第二热沉基板的宽度小于热沉基板的宽度，半导体激光器进一步包括第三连接件，设置在第二热沉基板的侧边，用于连接第二激光器模组的p面及第三激光器模组的p面。该技术方案能够进一步减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的n面。用于在集成电路封装体上钻孔；

    下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是半导体激光器一结构示意图；图2是本申请半导体激光器实施例的结构示意图；图3是本申请半导体激光器第二实施例的结构示意图；图4是本申请半导体激光器第三实施例的结构示意图；图5是本申请半导体激光器第四实施例的结构示意图；图6是本申请半导体激光器第五实施例的结构示意图；图7是本申请半导体激光器第六实施例的结构示意图；图8是本申请半导体激光器第七实施例的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或者位置关系。江苏工业半导体激光加工欢迎选购。广东国产半导体激光加工

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    在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。半导体激光器激光器编辑半导体激光器半导体激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laserdiode）等，使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量大的激光器。激光二极体的优点有：效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数15%~25%，总而言之能量效率高是其大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W（脉宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。半导体激光器工作原理编辑根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs。吉林好的半导体激光加工价钱

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