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    技术实现要素：本申请主要解决的技术问题是提供一种半导体激光器，以减少半导体激光器的电极引线数量，减少发热及提升其性能稳定性。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体激光器，该半导体激光器至少包括：热沉基板，包括相对设置的上表面及下表面，热沉基板设置有至少一个通孔，通孔从上表面贯穿至下表面；激光器模组，设置在热沉基板的上表面；第二激光器模组，设置在热沉基板的下表面；连接件，容置于通孔内；其中，激光器模组与第二激光器模组通过连接件电连接。该技术方案能够减少激光器的电极引线的数量，因此能够减少发热及提升其性能的稳定性。在一个实施方式中，半导体激光器进一步包括第二热沉基板，第二激光器模组位于热沉基板的下表面与第二热沉基板的上表面之间。该技术方案能够增加对第二激光器模组的散热。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的p面及第二激光器模组的n面，或者连接件连接激光器模组的n面及第二激光器模组的p面。该技术方案能够实现激光器模组和第二激光器模组串联设置，能够减少激光器的电极引线数量。在一个实施方式中，连接件连接激光器模组的n面及第二激光器模组的n面。江苏小型半导体激光加工值得推荐。上海大型半导体激光加工设备

    在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。半导体激光器激光器编辑半导体激光器半导体激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laserdiode）等，使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量大的激光器。激光二极体的优点有：效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数15%~25%，总而言之能量效率高是其大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W（脉宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。半导体激光器工作原理编辑根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs。吉林国内半导体激光加工设备江苏直销半导体激光加工批发厂家。

    激光器领域，特别是涉及一种半导体激光器。背景技术：半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器。其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场，也是固体激光器的发展方向。并且，它已渗透到各个学科领域，例如：激光信息存储与处理、激光材料加工、激光医学及生物学、激光通讯、激光印刷、激光光谱学、激光化学、激光分离同位素、激光核聚变、激光投影显示、激光检测与计量及激光技术等，极大地促进了这些领域的技术进步和前所未有的发展。本申请的发明人在长期的研发中发现，当前在大功率激光器封装技术的研究主要集中在激光器的工艺，而在可靠性和散热方面的相关研究较少，现有的大功率激光器一般采用激光巴条堆叠的方式，一是使用铟(indium)、或金锡共金，将激光巴条与电导体铜块黏合串连，但由于铜块金属的热膨胀系数(thermalexpansioncoefficient,tce)高达17e-6/℃。

    根据至少一个实施方式，半导体激光器包括半导体层序列。半导体层序列包含n型传导的n型区域。同样地，半导体层序列具有p型传导的p型区域。在n型区域和p型区域之间存在有源区。有源区构建用于基于电致发光产生激光辐射。换言之，沿着或相反于半导体层序列的生长方向，n型区域、有源区和p型区域彼此相随，推荐直接彼此相随。半导体层序列推荐基于iii-v族化合物半导体材料。半导体材料例如为氮化物化合物半导体材料，如alnin1-n-mgamn，或为磷化物化合物半导体材料，如alnin1-n-mgamp，或也为砷化物化合物半导体材料，如alnin1-n-mgamas，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即al、as、ga、in、n或p，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。 江苏大型半导体激光加工工厂直销。

    一种半导体激光器，该半导体激光器包括：半导体激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快轴准直透镜3、光束整形机构4和光纤输入端结构7，具体结构参见图1。如图2所示，光束整形机构4包括：套筒41，以及设置在套筒41内的慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43和限位环44。如图2所示，光纤输入端结构7包括：陶瓷插针71和穿设在陶瓷插针71内的光纤73；陶瓷插针71用于固定光纤73。陶瓷插针71的一端安装于套筒41内，限位环44位于陶瓷插针71和自聚焦透镜43中间，实现自聚焦透镜43和光纤73的光学定位；限位环44的长度控制光纤73与自聚焦透镜43间距，实现耦合焦距等的调整。半导体激光器芯片cos1依次通过快轴准直透镜3、慢轴准直透镜42、自聚焦透镜43实现和光纤73前端的耦合对准，半导体激光器芯片cos1输出光束的光轴与快轴准直透镜3的光轴及光束整形机构4的光轴在同一条直线上，使其适用于大的发光条宽的半导体激光器芯片cos1耦合进芯径较小的光纤73内，耦合效率高，可靠性好，操作简单。快轴准直透镜3是固定于靠近半导体激光器芯片cos1前端的位置，两者距离在微米级。在一个实施例中，如图3所示，陶瓷插针71的一端通过胶粘方式安装于套筒41内。江苏国内半导体激光加工批发厂家。浙江什么是半导体激光加工值得推荐

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    砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。半导体复合发光达到受激发射（即产生激光）的必要条件是：①粒子数反转分布分别从P型侧和n型侧注入到有源区的载流子密度十分高时，占据导带电子态的电子数超过占据价带电子态的电子数，就形成了粒子数反转分布。②光的谐振腔在半导体激光器中，谐振腔由其两端的镜面组成，称为法布里一珀罗腔。③高增益用以补偿光损耗。谐振腔的光损耗主要是从反射面向外发射的损耗和介质的光吸收。半导体激光器是依靠注入载流子工作的，发射激光必须具备三个基本条件：（1）要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数足够的大于处于低能态的粒子数；（2）有一个合适的谐振腔能够起到反馈作用，使受激辐射光子增生，从而产生激光震荡；（3）要满足一定的阀值条件，以使光子增益等于或大于光子的损耗。半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。半导体激光器优点：体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。上海大型半导体激光加工设备

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