HMC906

    ADG619BRTZ是单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，具有低导通电阻（4Ω，典型值）、通道间导通电阻匹配（Ω）、低功耗、高开关速度特性、先开后合式开关特性等优点。它采用8引脚SOT-23和8引脚MSOP封装，适用于防务和航空航天应用（AQEC标准）等。此外，它还支持±V至功能Ω导通电阻Ω电阻平坦度±±，8引线MSOP典型功耗（<μW）TTL-/CMOS兼容输入应用程序自动测试设备电源布线通信系统数据采集系统取样和保持系统航空电子继电器更换电池供电系统功能框图在ADG619/ADG620S2S1D注释1.显示的开关逻辑1输入。02617-001图1。概述ADG619/ADG620是单片CMOS单极双掷（SPDT）开关。每个开关导通相等当设备打开时，两个方向都很好。ADG619/ADG620提供4Ω的低导通电阻通道之间匹配在Ω以内。这些开关还提供低功耗，但导致高切换速度。ADG619显示先断后合切换动作，从而防止开关时瞬间短路通道。ADG620表现出先接通后断开的动作。ADG619/ADG620有8导线SOT-23和一个8引线MSOP。±V双电源或V至V单电源1。 ADI品牌的IC芯片在恶劣环境下也能表现出色，具有很高的适应性。HMC906

HMC451LC3TR功能超紧凑型SC70和TSOT封装低温系数8引线SOIC:3ppm/°C典型5-铅SC70:9ppm/°C最大值5-铅TSOT:9ppm/°C最大值初始精度±0.1%不需要外部电容器低噪声10µVp-p，0.1Hz至10.0Hz（ADR02）操作范围广ADR01:12.0V至36.0VADR02:7.0伏至36.0伏ADR03:4.5V至36.0VADR06:5.0V至36.0V高输出电流10mA宽温度范围：−40°C至+125°CADR01/ADR02/ADR03引脚与行业标准REF01/REF02/REF03兼容ADR01、ADR02、ADR03、ADR06SOIC（A级）合格用于汽车应用应用程序精密数据采集系统高分辨率转换器工业过程控制系统精密仪器自动电池监测PCMCIA卡ADUM241D0BRWZ通过采用ADI品牌的IC芯片，设备制造商们可以获得更小的体积和更高的集成度。

ADM7172ACPZ-5.0-R7是一款CMOS低压差线性稳压器（LDO），工作电压范围为2.3V至6.5V，可提供高达2A的输出电流。该芯片具有优异的噪声抑制能力和快速响应能力，可以提供可靠的电源管理和稳定的电压输出。ADM7172ACPZ-5.0-R7的调节器参数可通过外部调节器电阻器进行调整，以实现对输出电压的控制。它具有内置的热保护功能和过载保护功能，当芯片内部温度超过安全工作温度范围或输出电流超过芯片所能承受的范围时，芯片会自动关断，从而保护芯片和被控制的电路不被损坏1。ADM7172ACPZ-5.0-R7采用8引脚3mm×3mmLFCSP封装，外形扁平且占板面积小巧2。

    、低功耗、四通道、16位模拟前端（AFE）带隙电压参考器，专为高性能、高分辨率的模拟到数字转换器（ADC）前端设计。该芯片提供、、，具有低噪声、低失真、高电源抑制比（PSRR）和低输入偏置电流等特性，使其适用于恶劣的电磁环境和低功耗应用。此外，°C的低温度系数，使其适用于高精度的数据转换器和传感器接口应用。它采用16引脚、4mm×4mm、QFN封装，工作温度范围为-40°C至+85°C，并符合RoHS标准。总之，、高分辨率ADC前端设计的高性能、低噪声、带隙电压参考器芯片。 他们的IC芯片设计具有前瞻性，可适应未来的技术发展。

AD9375BBCZ是高度集成的宽带射频收发器，提供双通道发射器（Tx）和接收器（Rx）、集成式合成器、完全集成的数字预失真（DPD）励磁器和自适应引擎，以及数字信号处理功能1。该IC在频分双工（FDD）和时分双工（TDD）应用中，可以实现3G/4G小蜂窝和大规模多入多出（MIMO）设备所需的多种高性能低功耗组合。工作范围为300MHz到6000MHz，可覆盖大部分许可和免许可蜂窝频段。DPD算法可线性化处理高达40MHz的信号带宽，具体取决于功率放大器（PA）特性。支持的接收器（Rx）带宽达100MHz，支持的观察接收器（ORx）和发射器（Tx）合成带宽高达250MHz，可适应数字校正算法1。ADI的IC芯片以高性能和低成本而闻名，是许多应用的理想选择。ADP1706ARDZ-1.15R7

ADI的IC芯片采用先进的工艺制程，能够降低功耗并提高设备的续航能力。HMC906

HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器，在接近直流的情况下工作，使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行，插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB，总衰减为31.5dB。衰减精度非常高，典型步长误差为±0.25dB，IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。HMC906