专业控制温度传感器测试

时间:2023年10月11日 来源:

    步骤s:热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方连接起来,将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理,当硅片被加热到一定温度时,硅原子的振动能较大,导致原子的移动能加强,硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽,且沟槽侧壁的间距较小,当硅原子迁移运动达到一定程度时,硅原子会进入沟槽内,硅片内部的沟槽会发生形变,沟槽上部被硅封闭,若干沟槽中间部位相互连通,形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间,空腔的上部和下部均具有硅结构,上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中,热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距,可以得到不同形态的空腔,且间距越大,所需的退火温度就越高,但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中,沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距,如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时,热退火需要在一隔离环境中进行,如真空环境或者惰性气体环境,保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。热退火在氢气环境中进行。步骤s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中。室外压缩机排气温度传感器安装在室外压缩机排气管上,用金属管包装。专业控制温度传感器测试

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    通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂,在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,可以平衡氧化硅内部应力。使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s:在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。在温度传感器基作完成后,需要做基底上形成测温单元,测温单元是温度传感器的工作单元。郑州超大规模温度传感器哪个品牌好深圳市美信美科技有限公司,只做好的温度传感器现货供应商。

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温度是工业生产必须控制的一个非常关键参数,对于工业生产的产品质量、设备以及人身安全有直接的影响。选择温度检测仪表不应盲目要求测量的精度高、范围大以及自动化程度高等,而应结合工业生产中的具体工艺、被测介质的实际以及经济性等各种因素全盘考虑。需要遵循的原则是检测仪表测量温度的上下限应当大于被测介质温度的波动范围、测量精度符合生产工艺技术要求、使用方式满足测量人员观察需要、便于日常检修以及维护工作,并在此基础上,尽可能选择价经济实惠的检测仪表。

    测温单元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的温度传感器性能较好。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:金属层,所述金属层为金属铂层,所述金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于所述金属铂层外侧两端,用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中,所述测温单元包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层,所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联,所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出所述温度传感器的输出端子。附图说明图为一实施例中温度传感器制备方法的方法流程图;图a~c为一实施例中温度传感器制备方法各步骤对应生成的结构剖视图。图为一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图;图为另一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解,下面将参照相关附图对进行更的描述。附图中给出了的实施例。但是,可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地。提供这些实施例的目的是使对的公开内容更加透彻。除非另有定义。温度传感器故障在空调故障中占有比较大的比例。

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    本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图所示,其步骤包括:步骤s:在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示,获取一硅晶片,从硅片上方垂直向下开设若干并列的沟槽形成沟槽阵列。在一实施例中,先在硅片上形成具有阵列图案的光刻胶层,再以光刻胶作为掩膜版对硅片进行刻蚀形成若干沟槽。在本实施例中,刻蚀可为常规的干法刻蚀,具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能,其精度可达亚微米级别,通过干法刻蚀,可以得到形态较好的沟槽,尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽,其中,沟槽的宽度可为~μm,沟槽的深度可为~μm,相邻沟槽之间的间隔可为~μm。沟槽的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。沟槽的宽度为沟槽侧壁的大距离。如果沟槽为圆形,则沟槽的宽度为其直径,如果沟槽为正方形,则沟槽的宽度为其对角的距离。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。温度传感器是指能感受温度然后转换成可用输出信号的传感器。常州光纤温度传感器

电阻式温度测量装置也是电性的。专业控制温度传感器测试

    如图所示)。步骤s:在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层,用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图和图,在金属铂层外侧两端淀积一层第二金属层,该第二金属层可为金属铝层,从金属铝处引出该温度传感器的输出端子,即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。形成测温单元还包括钝化步骤,即,步骤s:在金属层上形成钝化层,并在钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成一层钝化层,可对金属层进行保护。专业控制温度传感器测试

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