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时间:2023年10月14日 来源:

    在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,可以平衡氧化硅内部应力。使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s:在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。在温度传感器基作完成后,需要做基底上形成测温单元,测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,其具体形成过程为:步骤s:在氧化硅薄膜上淀积一层金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构。参考图所示,在氧化硅薄膜上淀积一层金属层,该金属层可为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,将铂热电阻做成连续弓字形结构。温度传感器深圳哪家较好的,认准深圳美信美。广东小米温度传感器哪家公司大

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    提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图1所示,其步骤包括:步骤s110:在硅片上形成若干沟槽。结合图2a所示,获取一硅晶片20,从硅片20上方垂直向下开设若干并列的沟槽21形成沟槽阵列。在一实施例中,先在硅片20上形成具有阵列图案的光刻胶层,再以光刻胶作为掩膜版对硅片20进行刻蚀形成若干沟槽21。在本实施例中,刻蚀可为常规的干法刻蚀,具体为深度离子刻蚀。干法刻蚀具有更高的刻蚀精度和更好的各向异性性能,其精度可达亚微米级别,通过干法刻蚀,可以得到形态较好的沟槽,尤其是沟槽尺寸较小时利用干法刻蚀效果更佳。可通过调节掩膜板图案和控制刻蚀参数得到不同形态的沟槽,其中,沟槽21的宽度可为~1μm,沟槽21的深度可为1~10μm,相邻沟槽21之间的间隔可为~1μm。沟槽21的俯视形貌可以为圆形、方形或其他形状。重庆射频温度传感器价格空内环境温度传感器安装于室内蒸发器进风口,由塑料件支撑,可用来检测室内环境温度是否达到设定值。

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    如图c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元,温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出,在本方案中,测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中,测温单元为一热电阻传感结构,包括:金属层,金属层为金属铂层,金属铂层呈连续弓字形结构;和第二金属层,位于金属铂层外侧两端,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上淀积有一层金属层,该金属层为金属铂层,即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中,也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积,铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。该第二金属层可为金属铝层。

    显示仪表会显示热电偶受当前环境温度影响得到的电势所对应的热端温度,即当前环境温度。因上述热电偶传感器中上层有金属结构,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还需形成有一层钝化层,可对金属结构进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器,测温单元设于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有较低的导热率,因此不会影响测温单元的测温效果。且氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔,空腔下方的硅不会影响空腔上方的氧化硅的隔离效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。温度传感器中用来测量温度的传感器种类很多,热敏电阻器就是其中之一。

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    本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中,通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。温度传感器现货供应商-深圳市美信美科技有限公司。上海温度传感器公司

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    公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。该多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅,且其内部掺杂均匀;p型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅲ族元素形成导电类型为p型的多晶硅,且其内部掺杂均匀。n型多晶硅条和p型多晶硅条形状相同,在本方案中,n型多晶硅条和p型多晶硅条为长条型,多晶硅条平行设置,具有相同的间距。在多晶硅层上淀积有第三金属层,第三金属层包括金属结构和第二金属结构。金属结构位于相邻多晶硅条之间,该多晶硅条通过金属结构连接,金属结构具体为位于相邻多晶硅条端部位置,所有n型多晶硅条和p型多晶硅条通过该金属结构形成一串联结构,因此,当具有m个多晶硅条时,需要m-个金属结构使多晶硅条串联起来。一个n型多晶硅条与一个p型多晶硅条串联形成一个塞贝克(seebeck)结构,在本方案中,是多个塞贝克结构串联形成一个测温单元,因此。广东小米温度传感器哪家公司大

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