上海双极型温度传感器厂家

    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；在所述多晶硅上淀积第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器，由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。由于基底隔热效果较好。深圳市美信美科技有限公司，你的好的温度传感器供应商。上海双极型温度传感器厂家

    测温单元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的温度传感器性能较好。在其中一个实施例中，所述测温单元包括：金属层，所述金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于所述金属铂层外侧两端，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，所述测温单元包括：多晶硅层，包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；和第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。附图说明图1为一实施例中温度传感器制备方法的方法流程图；图2a～2c为一实施例中温度传感器制备方法各步骤对应生成的结构剖视图。图3为一实施例中温度传感器侧视图；图4为与图3对应的温度传感器俯视图；图5为另一实施例中温度传感器侧视图；图6为与图5对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更的描述。附图中给出了本发明的优先实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地。徐州进口温度传感器原理深圳美信美温度传感器价格好。

    使氧化硅薄膜结构更加稳定。步骤s130：在所述氧化硅薄膜上形成测温单元，所述测温单元用于感测环境温度。在温度传感器基作完成后，需要做基底上形成测温单元，测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，其具体形成过程为：步骤s131：在氧化硅薄膜上淀积一层金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构。参考图3所示，在氧化硅薄膜23上淀积一层金属层30，该金属层30可为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，将铂热电阻做成连续弓字形结构(如图4所示)。步骤s132：在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。继续参见图3和图4，在金属铂层30外侧两端淀积一层第二金属层40，该第二金属层40可为金属铝层，从金属铝处引出该温度传感器的输出端子，即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器。

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本发明涉及温度传感器领域，特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术：温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底，如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中，通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅，其中，二氧化硅的导热率较低，但是硅的导热率较高，为避免通过基底下部的硅导热，通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀，如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀，也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀，其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素：基于此，有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题，提出了一种新的温度传感器制备方法。靠谱温度传感器，找深圳美信美科技帮你解决。

    再在高温环境下进行退火，由于高温环境下硅原子会发生迁移，硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变，之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元，测温单元用于感测环境温度，从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开，基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。在其中一个实施例中，所述沟槽的宽度范围为μm～1μm，所述沟槽的深度范围为1μm～10μm，所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm～1μm。在其中一个实施例中，所述热退火具体为在氢气环境中热退火，所述热退火的温度为1000℃。在其中一个实施例中，在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层，所述金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构。温度传感器哪家质量过关？认准深圳美信美科技有限公司。徐州智诚温度传感器哪个品牌好

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    上述温度传感器制备方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离，空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果，因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉，简化了制备过程，节约制备时间，节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低，将测温单元制备在氧化硅薄膜上，具有较好的测温效果，使温度传感器性能更加稳定。本发明还涉及一种温度传感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。如图2c所示，基底包括硅片20和氧化硅薄膜23，硅片20和氧化硅薄膜之间形成有空腔22。测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出，在本方案中，测温单元形成于氧化硅薄膜23上且位于空腔上方。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，包括：金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于金属铂层外侧两端，用于引出温度传感器的输出端子。如图3和图4所示，氧化硅薄膜23上淀积有一层金属层30，该金属层30为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。上海双极型温度传感器厂家