广州计算机集成电路芯片

时间:2023年11月20日 来源:

    图至图中公开的结构不限于这种方法,而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示,在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中,通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中,ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中,可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料,以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中,衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等),诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯,以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中,ild层可以包括一种或多种介电材料,诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如,硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中,导电材料可以包括通过沉积工艺(例如,cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如,钨、铝等)。在各个实施例中,互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。我国已形成较完整的集成电路产业链,也涌现了一批高质量企业和企业家,在局部已形成了很强的能力。广州计算机集成电路芯片

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    泵将被加热的液体从双列直插式存储模块组件移除。热交换器冷却被加热的液体。储液器适应液体体积的改变。图a和图b示出了根据一个实施例的双列直插式深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。存储模块组件。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。图a是双列直插式存储模块组件在其装配状态下的图。双列直插式存储模块组件的分解图在图b中示出。双列直插式存储模块组件包括印刷电路板,印刷电路板上安装有一个或多个集成电路(一般地以示出)。印刷电路板一般是双侧的,集成电路安装在印刷电路板的两侧上。珠海专业控制集成电路选哪家集成电路的性能很高,因为小尺寸带来短路径,使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。

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    调节mtj器件的尺寸赋予调节mtj器件更大的切换电流,这可以允许更大的电流。在一些实施例中,工作mtj器件具有与尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如,第三宽度w)。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的示意图。多个存储单元a,至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接在字线wlx(x=,,)和偏置电压线bvly(y=,。)之间的调节mtj器件。工作mtj器件连接在偏置电压线bvly(y=,,)和位线blz(z=,,)之间。多个存储单元a,至c,连接至控制电路。控制电路包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路。在一些实施例中。字线解码器和偏置电路可以包括相同的电路元件(即,字线解码器可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间,为了访问工作mtj器件。

    图2a和图2b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块组件200。图2a是双列直插式存储模块组件200在其装配状态下的图。双列直插式存储模块组件200的分解图在图2b中示出。双列直插式存储模块组件200包括印刷电路板202,印刷电路板202上安装有一个或多个集成电路(一般地以204示出)。印刷电路板202一般是双侧的,集成电路204安装在印刷电路板202的两侧上。热接口材料206a、206b的层热耦联至集成电路204。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而,可以使用其他的热接口材料,例如,使用诸如导热膏及类似物。在所描绘的实施例中,具有一对侧板208a、208b的能够移除的散热器与热接口材料206a、206b的层物理接触,并且因此所述散热器热耦联至所述热接口材料206a、206b。侧板208a、208b可以由铝制成。然而,可以使用其他材料来形成侧板208a、208b,例如,使用诸如不锈钢或类似物来形成侧板。为了降造成本,侧板208a、208b可以是相同的。能够移除的一个或多个弹性夹210a、210b、210c、210d可以定位在侧板208a、208b周围,以将侧板压靠在热接口材料206a、206b上,以确保合适的热耦联。图3示出了图2的双列直插式存储模块组件200的一侧的视图。集成电路哪家服务好?认准深圳市美信美科技有限公司。

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    mram单元)的尺寸,因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路包括具有多个存储单元a,至b,的存储器阵列。多个存储单元a,至b,以行和/或列布置在存储器阵列内。例如,行存储单元包括存储单元a,和a,,而列存储单元包括存储单元a,和b,。在一些实施例中,多个存储单元a,至b,可以包括多个mram单元。多个存储单元a,至b,(例如,mram单元)分别包括连接至调节访问装置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道结(mtj),磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层a与自由层a分隔开的固定层a。固定层a具有固定的磁向,而自由层a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层a的磁向平行(即,“p”状态)或反向平行(即,“ap”状态)的磁向。固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态,并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态,数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如,如果工作mtj器件a,具有低电阻状态,则存储单元a,将存储位值(例如,逻辑“”),或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态,则存储单元a,将存储位值。深圳美信美集成电路品质好。石家庄特大规模集成电路IC

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    调节访问装置包括调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括垂直布置在底电极通孔和顶电极通孔之间的mtj。在一些实施例中,顶电极通孔可以通过通孔(例如,铜通孔)连接至上面的互连层。在一些实施例中,底电极通孔和顶电极通孔可以包括金属,诸如氮化钛(tin)、氮化钽(tan)、钛(ti)、钽(ta)等。在一些实施例中,互连层b从调节mtj器件正上方连续延伸至调节mtj器件正上方。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括由介电遂穿阻挡层分隔开的自由层和固定层。自由层具有被配置为响应于电信号(例如,电流)而改变的磁矩。固定层具有固定的磁取向,该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层的磁冲击。在一些实施例中,mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如,在一些实施例中,mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中,mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如,附加固定层、附加固定层等)和/或附加自由层(例如,附加自由层、附加自由层等)以改进mtj的性能。图b示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些可选实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。广州计算机集成电路芯片

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