江苏超大规模集成电路报价

    可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件、和。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件、和。的截面图所示，在多个mtj器件、和上方形成多个顶电极通孔。多个顶电极通孔由ild层围绕。在一些实施例中。可以在多个mtj器件、和上方沉积ild层，并且然后选择性地图案化ild层以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔。在各个实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件、和上方的第三ild层内形成互连层b。在一些实施例中，互连层b包括限定存储单元a,的位线bl和一条或多条字线wl至wl的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层以在第三ild层内形成开口来形成互连层b。然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如。集成电路是一种将多个电子元件集成在一起的电路。它是现代电子技术的重要组成部分。江苏超大规模集成电路报价

    图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例，该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和偏置电压线(例如，bvl)之间，第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如，bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如，bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至，该存储器电路包括存储单元(例如。江苏超大规模集成电路深圳市美信美科技有限公司，你的稳定集成电路供应商。

    在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件、和。可以对磁固定膜、介电阻挡层和磁自由膜实施一个或多个图案化工艺以限定多个mtj器件、和。在其它实施例中，可以在不同时间形成多个mtj器件、和。的截面图所示，在多个mtj器件、和上方形成多个顶电极通孔。多个顶电极通孔由ild层围绕。在一些实施例中。可以在多个mtj器件、和上方沉积ild层，并且然后选择性地图案化ild层以限定顶电极通孔开口。然后通过沉积工艺在顶电极通孔开口内形成多个顶电极通孔。在各个实施例中，ild层可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在各个实施例中，多个顶电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个mtj器件、和上方的第三ild层内形成互连层b。在一些实施例中，互连层b包括限定存储单元a,的位线bl和一条或多条字线wl至wl的多个互连结构。在一些实施例中，第三ild层可以包括通过一个或多个沉积工艺(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的电介质(例如，氧化物、低k电介质或k电介质)。可以通过选择性地蚀刻第三ild层以在第三ild层内形成开口来形成互连层b。

    在一些实施例中，调节访问装置可以包括与工作mtj器件并联连接的薄膜电阻器和薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列通过多条位线bl至bl和多条字线wl至wl连接至控制电路。在一些实施例中，控制电路包括连接至多条位线bl至bl的位线解码器和连接至多条字线wl至wl的字线解码器。调节访问装置连接在字线wlx(x＝或)和工作mtj器件之间，而工作mtj器件连接在调节访问装置和位线bly(y＝或)之间。为了访问工作mtj器件。位线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条位线bl至bl提供信号(例如，电压)。而字线解码器被配置为基于从控制单元接收的地址saddr选择性地向一条或多条字线wl至wl提供信号(例如，电压)。调节访问装置被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列内的调节访问装置可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。集成电路哪家服务好？认准深圳市美信美科技有限公司。

    印刷电路板一般是双侧的，集成电路安装在两侧上。热接口材料6的层热耦联至集成电路。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而，可以使用其他的热接口材料。在所描绘的实施例中，由通过内部铰链连接的一对侧板组成的、能够移除的散热器与热接口材料6的层物理接触。并且因此热耦联至热接口材料6。侧板可以由铝制成。然而，可以使用其他材料来形成侧板。能够移除的一个或多个弹性夹可定位在侧板周围，以将侧板压靠在热接口材料6上，以确保合适的热耦联。图示出了根据一个实施例的流程。尽管流程的步骤以特定顺序示出，这些步骤的部分或全部可以以其他顺序执行、并行地执行或两者的组合。一些步骤可以被省略。参考图，在处，提供两个印刷电路装配件。每个印刷电路装配件包括：系统板；平行地安装在系统板上的多个印刷电路板插座；和多个冷却管6。每个所述冷却管安装在系统板上、平行且邻接于所述印刷电路板插座中对应的一个印刷电路板插座，所述冷却管6中的每个冷却管6具有在冷却管6与系统板相对的一侧上粘附至冷却管6的热接口材料层。在处，流程包括提供多个集成电路模块。例如，集成电路模块可以包括一个或多个双列直插式存储模块组件。每个集成电路模块包括：印刷电路板。靠谱集成电路，找深圳美信美科技帮你解决。重庆通用集成电路公司

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    存储单元a,的工作mtj器件、调节mtj器件和调节mtj器件可以通过第四多个通孔d连接至第六互连层f。在其它实施例(未示出)中，一个或多个附加存储单元可以横向地布置为邻近存储单元a,。在一些这样的实施例中。存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图a至图b所示的集成芯片和可以实现图的存储器阵列的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路包括多个存储单元a,至c,，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间，而调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件进一步连接至位线(例如，bl)。江苏超大规模集成电路报价