太原大规模集成电路企业

时间:2024年01月12日 来源:

    调节mtj器件的尺寸赋予调节mtj器件更大的切换电流,这可以允许更大的电流。在一些实施例中,工作mtj器件具有与尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如,第三宽度w)。图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的示意图。多个存储单元a,至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接在字线wlx(x=,,)和偏置电压线bvly(y=,。)之间的调节mtj器件。工作mtj器件连接在偏置电压线bvly(y=,,)和位线blz(z=,,)之间。多个存储单元a,至c,连接至控制电路。控制电路包括被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线blz的位线解码器、被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wlx的字线解码器以及被配置为选择性地将信号施加至一条或多条偏置电压线bvly的偏置电路。在一些实施例中。字线解码器和偏置电路可以包括相同的电路元件(即,字线解码器可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间,为了访问工作mtj器件。电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管;太原大规模集成电路企业

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    在各个实施例中,互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示,在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中,介电层可以沉积在互连层a上方,并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中,介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中,多个底电极通孔可以包括导电材料,诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中,自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和,调节访问装置被配置为控制(即,调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中,可以同时形成多个mtj器件、和。例如,在一些实施例中,可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。常州扁平形集成电路工艺集成电路现货供应商-深圳市美信美科技有限公司。

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    调节mtj器件具有比调节mtj器件更大的尺寸。在一些实施例中,调节访问装置还包括连接在位线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,字线连接至字线解码器,并且位线和位线连接至位线解码器。在一些实施例中,工作mtj器件不位于存取晶体管器件正上方。在一些实施例中,集成芯片还包括连接在调节mtj器件和工作mtj器件之间的偏置电压线。在一些实施例中。工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中,集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的工作mtj器件,工作mtj器件被配置为存储数据状态。在一些实施例中,工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中,涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层,互连层通过介电结构与衬底分隔开;以及调节mtj器件,布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态,工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中,集成电路还包括调节访问装置,其具有连接在字线和工作mtj器件之间的调节mtj器件,调节mtj器件具有通过介电阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中。

    所述冷却管中的每个冷却管具有在该冷却管的与所述系统板相对的一侧上粘附至所述冷却管的热接口材料层;以及多个集成电路模块,每个所述集成电路模块包括:印刷电路板,所述印刷电路板具有布置在所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中的连接侧;安装在所述印刷电路板上的一个或多个集成电路,第二热接口材料层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。所述第二热接口材料层与所述集成电路热耦联,和能够移除的散热器,所述散热器与所述第二热接口材料层热耦联,所述散热器具有越过印刷电路板的与所述连接侧相对的侧延伸的顶表面;其中,所述两个印刷电路装配件被相对地放置在一起,使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的所述热接口材料层接触,并且与该热接口材料层热耦联。在另一个方面中。我国的集成电路产业起步较晚,因此发展集成电路显得越来越重要。

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    调节访问装置被配置为通过控制提供给工作mtj器件的电流来选择性地对存储器阵列内的一个或多个工作mtj器件提供访问。在一些实施例中,调节访问装置可以包括一个或多个调节mtj器件,一个或多个调节mtj器件分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层b与自由层b分隔开的固定层b。例如,在一些实施例中,调节访问装置可以包括与相关的工作mtj器件连接的并联连接的调节mtj器件和调节mtj器件。在一些实施例中。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂。pt)等。在一些实施例中,介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中,自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中,调节访问装置可以包括一个或多个电阻器(例如,包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR。随着集成电路的发展,其在现代各种行业的作用越来越重要。无锡模拟集成电路测试

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    内的调节mtj器件。然而,电流i的两倍小于切换电流isw,使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示,通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl,对存储单元a,内的工作mtj器件实施读取操作。非零偏置电压v将使得读取电流ir通过存储单元a,内的工作mtj器件。通过工作mtj器件的读取电流ir具有取决于工作mtj器件的电阻状态的值。例如,工作mtj器件处于低电阻状态(例如,存储逻辑“”)时的读取电流ir将大于工作mtj器件处于高电阻状态(例如,存储逻辑“”)的读取电流ir。在一些实施例中,位线解码器可以包括多路复用器,多路复用器被配置为确定存储器阵列的期望输出。多路复用器被配置为将来自存储单元a,内的工作mtj器件的读取电流ir选择性地提供给感测放大器,感测放大器被配置为比较ir与由电流源产生的参考电流iref,以确定存储在存储单元a,内的工作mtj器件中的数据状态。图a示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,和存储单元b,,存储单元b,邻近于存储单元a,横向定位。太原大规模集成电路企业

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