新疆三相晶闸管调压模块生产厂家
如温度控制、灯米调节及直流电极调速和换向电路等。3、逆导的。主要用于直流供电国辆(如无轨电车)的调速。4、可关断的。这是一种新型产品,它利用正的控制极脉冲可触发导通,而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。在性能上,可控硅模块不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件,更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。它的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。可以从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。以上就是正高的小编为大家带去的关于可控硅模块的了解,希望会对大家带去一定的帮助!以客户至上为理念,为客户提供咨询服务。新疆三相晶闸管调压模块生产厂家
所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上,考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素,在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。2.选择额定工作电流参数可控硅的额定电流是在一定条件的通态均匀电流IT,即在环境温度为+40℃和规定冷却条件,器件在阻性负载的单相工频正弦半波,导通角不少于l70℃的电路中,当稳定的额定结温时所答应的通态均匀电流。而一般变流器工作时,各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170℃导通角上工作,通常是少于这一角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些,一般应为其正常电流均匀值的。3.选择关断时间晶闸管模块在阳极电流减少为0以后,假如马上就加上正朝阳极电压,即使无门极信号,它也会再次导通,假如在再次加上正朝阳极电压之前使器件承受一定时间的反向偏置电压,也不会误导通,这说明晶闸管模块关断后需要一定的时间恢复其阻断能力。从电流过O到器件能阻断重加正向电压的瞬间为止的小时闻间隔是可控硅的关断时间tg,由反向恢复时间t和门极恢复时间t构成,普通晶闸管模块的tg约150-200μs。通常能满足一般工频下变流器的使用,但在大感性负载的情况下可作一些选择。 内蒙古双向晶闸管调压模块供应商淄博正高电气为客户服务,要做到更好。
可控硅模块触发电路时需要满足的必定要求来源?可控硅模块的作用主要体验在电路中,在电路中经常会见到可控硅模块的身影,由此可见它的应用是多么的强大,可控硅模块的其中一个作用就是触发电路,但是触发电路时需要满足三个必定条件,下面正高电气带您来看看这三个条件是什么?一、可控硅模块触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度为了使全部的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发,可控硅模块触发电路所送出的触发电压和电流,必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的较大值,并且留有足够的余量。另外,由于可控硅的触发是有一个过程的,也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间,不是一触即通,只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如:一般可控硅的导通时间在6μs左右,故触发脉冲的宽度至少在6μs以上,一般取20~50μs,对于大电感负载,由于电流上升较慢,触发脉冲宽度还应加大,否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上,则可控硅又重新关断。
可控硅模块属于电气元器件,目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件,它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的,使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G,门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。特点:1对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。2对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。淄博正高电气与广大客户携手并进,共创辉煌!
测试可控硅升温的三个方法我们大家都知道,可控硅模块也被称为晶闸管。凭借着体积小、效率高、寿命长等优点,可控硅在调速系统以及随动系统中的应用很广。任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家跟随小编来看看可控硅模块的升温方法:1可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。2可控硅模块温升按下式计算:式中:Δt--可控硅模块的温升(℃)。3可控硅模块工作温度的测定:被测可控硅模块温升的测定,通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行,也可单独进行,被测减速机在符合规定时,读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度相信大家在了解可控硅模块的升温测试方法之后,在以后的使用中就可以测试温度,如果温度过高就及时采取降温措施,这样能够提高工作效率,又使机器受到了保护。以上便是正高给大家推荐的如何测试可控硅模块升温的方法,希望对大家有所帮助。淄博正高电气公司在多年积累的客户好口碑下,不但在产品规格配套方面占据优势。新疆三相晶闸管调压模块生产厂家
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晶闸管模块又称为可控硅模块,是硅整流装置中主要的器件,可应用于多种场合,在不同的场合、线路和负载的状态下,选择适合的晶闸管模块的重要参数,使设备运行更良好,使用寿命更长。1.选择正反向电压晶闸管模块在门极无信号,控制电流Ig为0时,在阳(A)逐一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置,所以,器件呈高阻抗状态,称为正向阻断状态,若增大UAK而达到一定值VBO,可控硅由阻断忽然转为导通,这个VBO值称为正向转折电压,这种导通是非正常导通,会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。在阳逐一阴极之间加上反向电压时,器件的一和三PN结(J1和J3)处于反向偏置,呈阻断状态。当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断忽然转变为导通状态,此时是反向击穿,器件会被损坏。而且VBO和VRB值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况下,如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压(∈=-Ldi/dt),假如电路上未有良好的吸收回路,此电压将会损坏晶闸管模块。因此,晶闸管模块也必须有足够的反向耐压VRRM。晶闸管模块在变流器(如电机车)中工作时。必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作。 新疆三相晶闸管调压模块生产厂家
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