化学试剂氧化铪批发

时间:2021年11月03日 来源:

制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。应用领域氧化铪(HfO2)为锆铪分离的产物,目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr,并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少,价格昂贵。作为铪的主要化学产品,通常用作光学镀膜材料,很少量开始试用于高效集成电路,氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HChemicalbookfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大,捕获中子的能力强,化学性质特别稳定,因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来,光学镀膜得到了很快的发展,HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求,所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***,特别是它对光有比较宽的透明波段,在光透过氧化铪薄膜时,对光的吸收少,大部分通过折射透过薄膜,因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。氧化铪的应用领域有那些?化学试剂氧化铪批发

中文名称:氧化铪分子式:HfO₂英文名称:Hafnium(IV)oxide英文别名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888应用领域氧化铪(HfO2)为锆铪分离的产物,目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr,并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少,价格昂贵。作为铪的主要化学产品,通常用作光学镀膜材料,很少量开始试用于高效集成电路,氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大Chemicalbook,捕获中子的能力强,化学性质特别稳定,因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来,光学镀膜得到了很快的发展,HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求,所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***,特别是它对光有比较宽的透明波段,在光透过氧化铪薄膜时,对光的吸收少,大部分通过折射透过薄膜,因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。北京氧化铪市价氧化铪的分子式是多少?

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物,常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料,应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂),以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。

中文名氧化铪(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文别名氧化铪(III)|二氧化铪|氧化铪物理性质氧化铪(HfO2)是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在,一种是无定型状态,另外两种为晶体。在<400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时,可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃,开始转化为单斜晶体,继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势,并转化为4个氧化铪分子的单体。当1700~1865℃Chemicalbook时开始转化为四方晶系。向氧化铪中添加少量氧化镁、氧化钙、氧化锰等氧化铪,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶体。如向氧化铪中加8%~20%氧化钙,则晶格常数α相应从0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量达到形成CaHfO3时,则晶体结构转化为菱形晶系。单斜晶体氧化铪的密度为9.68g/cm3,熔点3031K,沸点5673K。氧化铪薄膜的特性与应用?

产品特点:白色粉末,有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3,10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。氧化铪 性质熔点 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸,可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用:二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?),以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的操作注意事项?西藏氧化铪销售公司

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氧化铪更多1.性状:白色粉末。2.密度(g/mL,25℃):9.683.相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定4.熔点(ºC):21825.沸点(ºC,常压):未确定6.沸点(ºC,1mmHg):未确定7.折射率:未确定8.闪点(ºC):未确定9.比旋光度(º):未确定10.自燃点或引燃温度(ºC):未确定11.蒸气压(20ºC):未确定12.饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定13.燃烧热(KJ/mol):未确定14.临界温度(ºC):未确定15.临界压力(KPa):未确定16.油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定17.上限(%,V/V):未确定18.下限(%,V/V):未确定19.溶解性:未确定化学试剂氧化铪批发

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