甘肃氧化铪的价格
氧化铪MSDS1.1产品标识符:Hafnium(IV)oxide化学品俗名或商品名1.2鉴别的其他方法无数据资料1.3有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途*供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。模块2.危险性概述2.1GHS分类根据全球协调系统(GHS)的规定，不是危险物质或混合物。2.3其它危害物-无模块3.成分/组成信息3.1物质:HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分浓度Hafniumdioxide-化学文摘编号(CASNo.)12055-23-1EC-编号235-013-2模块4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。如果停止了呼吸,给于人工呼吸。在皮肤接触的情况下用肥皂和大量的水冲洗。在眼睛接触的情况下用水冲洗眼睛作为预防措施。如果误服切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。用水漱口。4.2**重要的症状和影响，急性的和滞后的据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。4.3及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示无数据资料模块5.消防措施5.1灭火介质灭火方法及灭火剂用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。5.2源于此物质或混合物的特别的危害二氧化铪5.3救火人员的预防如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。5.4进一步的信息氧化铪的沸点是多少？甘肃氧化铪的价格
二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料，应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。云南有口碑的氧化铪氧化铪是什么形状的？
基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化铪分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***，氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃，基片温度~250℃，蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜，干涉膜
物性数据1.性状：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定4.熔点（ºC）：21825.沸点（ºC,常压）：未确定6.沸点（ºC，1mmHg）：未确定7.折射率：未确定8.闪点（ºC）：未确定9.比旋光度（º）：未确定10.自燃点或引燃温度（ºC）：未确定11.蒸气压（20ºC）：未确定12.饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定13.燃烧热（KJ/mol）：未确定14.临界温度（ºC）：未确定15.临界压力（KPa）：未确定16.油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定17.上限（%,V/V）：未确定18.下限（%,V/V）：未确定19.溶解性：未确定氧化铪的应用领域有那些？
产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来越薄，但是漏电流的数值会因为量子效Chemicalbook应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。氧化铪的运输注意事项？北京化学试剂氧化铪
氧化铪的分子式是多少？甘肃氧化铪的价格
中文名称:氧化铪分子式:HfO₂英文名称:Hafnium(IV)oxide英文别名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大Chemicalbook，捕获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特别是它对光有比较宽的透明波段，在光透过氧化铪薄膜时，对光的吸收少，大部分通过折射透过薄膜，因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。甘肃氧化铪的价格
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