山西口碑好的氧化铪
性质氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[ChemicalbookHf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。应用领域氧化铪的海关编码是多少？山西口碑好的氧化铪
中文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%什么是氧化铪生态学资料氧化铪的灭火方法及灭火剂？
氧化铪是一种化学物质，分子式是HfO₂。中文名氧化铪，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文别名氧化铪(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理学数据主要的刺激性影响在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜在眼睛上面：刺激的影响致敏作用：没有已知的敏化现象。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。
用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。生产方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。性质氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[ChemicalbookHf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。应用领域氧化铪的MSDS。。。。
基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化铪分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***，氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃，基片温度~250℃，蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜，干涉膜氧化铪是怎么制备而来的？吉林氧化铪市价
氧化铪基本的理化特性的信息？山西口碑好的氧化铪
氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。山西口碑好的氧化铪
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