福建有名的氧化铪

时间:2022年11月13日 来源:

CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2相关类别:稀有金属;通用试剂;催化和无机化学;粉体;铪;氧化物;无机物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常规氧化物粉体-氧化铪;氧化物-氧化铪;无机粉体;金属粉末Mol文件:氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS数据库12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化学物质信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化铪的CAS登录号是多少?福建有名的氧化铪

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料,因其较高的介电常数值(~20),较大的禁带宽度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的稳定性,HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm,以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题,随着晶体管的尺寸缩小,二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄,但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高,所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。生产方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。福建有名的氧化铪氧化铪的物理化学性质?

物性数据1.性状:白色粉末。2.密度(g/mL,25℃):9.683.相对蒸汽密度(g/mL,空气=1):未确定4.熔点(ºC):21825.沸点(ºC,常压):未确定6.沸点(ºC,1mmHg):未确定7.折射率:未确定8.闪点(ºC):未确定9.比旋光度(º):未确定10.自燃点或引燃温度(ºC):未确定11.蒸气压(20ºC):未确定12.饱和蒸气压(kPa,60ºC):未确定13.燃烧热(KJ/mol):未确定14.临界温度(ºC):未确定15.临界压力(KPa):未确定16.油水(辛醇/水)分配系数的对数值:未确定17.上限(%,V/V):未确定18.下限(%,V/V):未确定19.溶解性:未确定

基本信息中文名称:氧化铪分子式:HfO₂英文名称:Hafnium(IV)oxide英文别名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888毒理学数据主要的刺激性影响在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜在眼睛上面:刺激的影响致敏作用:没有已知的敏化现象。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。氧化铪的分子式是多少?

中文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%氧化铪的密度是多少?福建有名的氧化铪

氧化铪的生产方法有那些?福建有名的氧化铪

氧化铪又称氧化铪(IV),它是一种无机化工产品,其分子式为HfO2,分子量为210.4888。存储方法常温密闭,阴凉通风干燥。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。主要用途用于光谱分析及催化剂体系,耐熔材料。系统编号CAS号:12055-23-1MDL号:MFCD00003565EINECS号:235-013-2PubChem号:24873674,毒理学数据主要的刺激性影响:在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜在眼睛上面:刺激的影响致敏作用:没有已知的敏化现象福建有名的氧化铪

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