有口碑的氧化铪眼睛防护

时间:2023年02月27日 来源:

氧化铪化学性质熔点:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形态:powder颜色:Off-white比重:9.68水溶解性:Insolubleinwater.Merck:14,45Chemicalbook88InChIKey:CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS数据库:12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化学物质信息:Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)安全信息安全说明:22-24/25WGKGermany:3TSCA:Yes海关编码:28259085化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[Hf(SO4)2],与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(ChemicalbookHfCl4),与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6),与碳在1,500℃以上作用形成碳化铪HfC。氧化铪的销售价格是多少?有口碑的氧化铪眼睛防护

文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2有口碑的氧化铪眼睛防护氧化铪的安全操作的注意事项?

氧化铪用途与合成方法物理性质氧化铪(HfO2)是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在,一种是无定型状态,另外两种为晶体。在<400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时,可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃,开始转化为单斜晶体,继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势,并转化为4个氧化铪分子的单体。当1700~Chemicalbook1865℃时开始转化为四方晶系。向氧化铪中添加少量氧化镁、氧化钙、氧化锰等氧化铪,在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶体。如向氧化铪中加8%~20%氧化钙,则晶格常数α相应从0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量达到形成CaHfO3时,则晶体结构转化为菱形晶系。单斜晶体氧化铪的密度为9.68g/cm3,熔点3031K,沸点5673K。氧化铪结构1

用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。生产方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通Chemicalbook过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。安全信息安全说明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海关编码28259085毒理学数据主要的刺激性影响在皮肤上面:刺激皮肤和粘膜在眼睛上面:刺激的影响致敏作用:没有已知的敏化现象。存储方法常温密闭,阴凉通风干燥,合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。氧化铪的操作注意事项?

二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料,因其较高的介电常数值(~20),较大的禁带宽度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的稳定性,HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm,以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题,随着晶体管的尺寸缩小,二氧化硅介质要求必须越来越薄,但Chemicalbook是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高,所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的危险性概述?有口碑的氧化铪眼睛防护

氧化铪是什么形状的?有口碑的氧化铪眼睛防护

基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***,氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃,基片温度~250℃,蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜,干涉膜有口碑的氧化铪眼睛防护

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