安徽氧化铪气味

文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2氧化铪的分子式是多少？安徽氧化铪气味

CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2相关类别:稀有金属;通用试剂;催化和无机化学;粉体;铪;氧化物;无机物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常规氧化物粉体-氧化铪;氧化物-氧化铪;无机粉体;金属粉末Mol文件:氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS数据库12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化学物质信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)安徽氧化铪气味氧化铪的分子量是多少？

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来越薄，但是漏电流的数值会因为量子效Chemicalbook应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。

二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来越薄，但Chemicalbook是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它很可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2)，以解决目前MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧化铪的安全操作的注意事项？

基本信息IUPAC名称:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化铪分子结构密度:9.68g/cm3熔点:2758℃摩尔质量:210.49g/molCAS号:12055-23-1蒸发压力:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa线膨胀系数:5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水纯度:99.99薄膜特性:透光范围~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸发条件:用电子***，氧分压~1~2×10-2Pa。蒸发温度~2600~2800℃，基片温度~250℃，蒸发速率2nm/s应用领域:UV增透膜，干涉膜氧化铪的密度是多少？安徽氧化铪气味

氧化铪的物理化学性质？安徽氧化铪气味

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料，应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。安徽氧化铪气味

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