河北功率型热敏电阻电流

时间:2022年12月16日 来源:

BT=CT2+DT+E,上式中,C、D、E为常数。另外,因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化,但常数C、D不变。因此,在探讨B值的波动量时,只需考虑常数E即可。常数C、D、E的计算,常数C、D、E可由4点的(温度、电阻值)数据(T0,R0).(T1,R1).(T2,R2)and(T3,R3),通过式3~6计算。首先由式样3根据T0和T1,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3,然后代入以下各式样。电阻值计算例:试根据电阻-温度特性表,求25°C时的电阻值为5(kΩ),B值偏差为50(K)的热敏电阻在10°C~30°C的电阻值。步骤(1)根据电阻-温度特性表,求常数C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15(2)代入BT=CT2+DT+E+50,求BT。(3)将数值代入R=5exp{(BT1/T-1/298.15)},求R。*T:10+273.15~30+273.15。负温度系数(NTC)热敏电阻***用于各种电子元件中,如温度传感器、可复式保险丝及自动调节的加热器等。河北功率型热敏电阻电流

功率型NTC热敏电阻比较大允许电容(焦耳能量)的选择。对于某个型号的功率型NTC热敏电阻来说,允许接入的滤波电容的大小是有严格要求的,这个值也与比较大额定电压有关。开机浪涌是因为电容充电产生的,因此通常用给定电压值下的允许接入的电容量,来评估功率型NTC热敏电阻承受浪涌电流的能力。对于某一个具体的功率型NTC热敏电阻来说,所能承受的比较大焦耳能量已经确定了。功率型NTC热敏电阻的焦耳能量计算公式:E=1/2CV2。从上面的公式可以看出,其允许的接入的电容值与额定电压的平方成反比。简单来说,就是输入电压越大,允许接入的比较大电容值就越小,反之亦然。甘肃温度传感型热敏电阻测试PTC效应即正温度系数效应,*指此材料的电阻会随温度的升高而增加。

NTC热敏电阻体自身的包封料及线材对热敏电阻产品的性能有很大影响,,其中包封料有硅树脂、酚醛树脂;线材有CU线和CP线。1、硅树脂与酚醛树脂:硅树脂的耐温为200℃,酚醛树脂的耐温为130℃,硅树脂散热性能也更好,有利于芯片抑制浪涌电流瞬间更快将吸收的热量散发出去,从而减少因为上电瞬间因为浪涌电流冲击产生的高热量对于芯片、银面和引线之间的锡层的损伤,从而大幅度提升芯片本身的使用寿命。酚醛树脂的价格远低于硅树脂。

耗散系数(δ)在规定环境温度下,NTC热敏电阻耗散系数是电阻中耗散的功率变化与电阻体相应的温度变化之比值。δ:NTC热敏电阻耗散系数,(mW/K)。△P:NTC热敏电阻消耗的功率(mW)。△T:NTC热敏电阻消耗功率△P时,电阻体相应的温度变化(K)。热时间常数(τ)在零功率条件下,当温度突变时,热敏电阻的温度变化了始未两个温度差的63.2%时所需的时间,热时间常数与NTC热敏电阻的热容量成正比,与其耗散系数成反比。τ:热时间常数(S)。C:NTC热敏电阻的热容量。δ:NTC热敏电阻的耗散系数。额定功率PM:在规定的技术条件下,热敏电阻器长期连续负载所允许的耗散功率。

NTC负温度系数热敏**重要的性能是寿命长寿命NTC热敏电阻,是对NTC热敏电阻认识的提升,强调电阻寿命的重要性。NTC热敏电阻**重要的是寿命,在经得起各种高精度、高灵敏度、高可靠、超高温、高压力考验后,它仍很长时间稳定工作。寿命是NTC热敏电阻的一个重要性能,与精度、灵敏度等其他参数存在辩证关系。一个NTC电阻产品,必须首先长寿命,才能保证其他性能的发挥;而其他性能的***,依赖到生产工艺达到一定技术水平,这让NTC的长寿命变成可能。很多高科技电子产品,在超高温、超高压及其他恶劣条件下,需要热敏电阻发挥稳定的控温、测温功能,多数厂家一味追求NTC热敏电阻的精度、灵敏度、漂移值等常规性能的稳定发挥,忽视了电阻的寿命,导致因NTC无法长时间工作而影响电子产品的使用。如此一来,所有的精度、灵敏度、耐高温等等,都变得没有意义。功率NTC热敏电阻器,是一种大功率的圆片式热敏电阻器,常用于有电容器、加热器和马达启动的电子电路中。甘肃温度传感型热敏电阻测试

热敏电阻易加工成复杂的形状,可大批量生产;⑥稳定性好、过载能力强。河北功率型热敏电阻电流

钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构,是一种铁电材料,纯钛酸钡是一种绝缘材料.在钛酸钡材料中加入微量稀土元素,进行适当热处理后,在居里温度附近,电阻率陡增几个数量级,产生PTC效应,此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料,晶粒之间存在着晶粒间界面。该半导瓷当达到某一特定温度或电压,晶体粒界就发生变化,从而电阻急剧变化。钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界(晶粒间界)。对于导电电子来说,晶粒间界面相当于一个势垒。当温度低时,由于钛酸钡内电场的作用,导致电子极容易越过势垒,则电阻值较小。当温度升高到居里温度(即临界温度)附近时,内电场受到破坏,它不能帮助导电电子越过势垒。这相当于势垒升高,电阻值突然增大,产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型,它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释。河北功率型热敏电阻电流

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