重庆并联谐振型晶振尺寸

时间:2022年12月16日 来源:

陶瓷晶振是属于压电材料频率元件,常规分为两种压电材料,陶瓷晶振是属于压电材料频率元件,常规分为两种压电材料,1:压电陶瓷材料,2:压电石英材料。陶瓷晶振别名又叫陶振;在中国晶振厂家经常这样叫法。陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料而得名,封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5(单位:毫米),**产品:455KHZ系列;还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料,经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳,一般为棕色和蓝色,**产品:ZTT4.0MHZ。频率精度按照国际通用标准表示为:千分之三和千分之五。贴片晶振在上板上机时可以自动化装配,具有尺寸小、易贴装等特点,主要用于空间相对较小的电子产品中。重庆并联谐振型晶振尺寸

石英晶体谐振器(英文:quartzcrystalunit或quartzcrystalresonator,常被标识为Xtal,ExtenalCrystalOsillator,外部晶振器,因为晶振单元常常作为电路外接),简称石英晶体或晶振,是利用石英晶体(又称水晶)的压电效应,用来产生高精度振荡频率的一种电子元件,属于被动元件。该元件主要由石英晶片、基座、外壳、银胶、银等成分组成。根据引线状况可分为直插(有引线)与表面贴装(无引线)两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。上海高精度型晶振尺寸晶振可以提供较稳定的脉冲,广泛应用于微芯片的时钟电路里。

标称频率。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标注在晶振外壳上。②负载电容。负载电容是指晶振的两条引线连接的集成电路(IC)内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载电容不同,振荡器的振荡频率不同。但标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。一般来说,有低负载电容(串联谐振晶体)和高负载电容(并联谐振晶体)之分。因此,标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致,不能轻易互换,否则会造成电路工作不正常。

间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路,并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上,通过晶体振子串联电容量的变化,对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度,但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数(A/D)转换器,将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿,使晶体振荡器频率稳定度非常高,但具体的补偿电路比较复杂,成本也较高,只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。晶体振荡器被认为优于陶瓷谐振器,因为它们具有更高的稳定性、更高的质量、更低的成本和更小的尺寸。

晶振工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。4、负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时,相对频率牵引为:DL1,L2=C1(CL1-CL2)/[2(C0+CL1)(C0+CL2)]。晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体,在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。山东长方形晶振频率

电压控制晶体振荡器(VCXO),是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。重庆并联谐振型晶振尺寸

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