福建中精度型晶振电路

串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。陶瓷晶振芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。福建中精度型晶振电路

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。福建中精度型晶振电路晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。

间接补偿型。间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一只与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿。该补偿方式能实现±0.5×10-6的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度-电压变换电路之后再加一级模/数（A/D）转换器，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。

开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时间（如1小时）的频率的变化率，表示了晶振达到稳定的速度。频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器元件的缓慢变化造成的。因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的比较大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内比较大的总频率变化（如：±1ppm/（***年）和±5ppm/（十年））来表示。晶体振荡器是固定频率振荡器之一，其中它们的精度和稳定性是**重要的考虑因素。

电压特性。。其他条件保持不变时，，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的比较大允许频偏。、⑧杂波。杂波是指输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。、⑨谐波。、谐波是指谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。⑩日波动。指振荡器经过规定的预热时间后，每隔1h测量一次，连续测量24h，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0计算，得到日波动。标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。福建中精度型晶振电路

在通常工作条件下，普通的晶振频率***精度可达百万分之五十。福建中精度型晶振电路

石英晶振封装按生产工艺可以划分为：Seam金属封装，Glass玻璃封装，ResistanceWelded电阻焊，冲压；产品工业的不同，其封装方式及特点也有所不同。石英晶振封装按上板组装方可以划分为直插(DIP)和贴片(SMD)；SMD晶振在上板上机时可以自动化装配，提高生产效率，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中；应用于智能手机、无线蓝牙、平板电脑等数码产品；DIP因为有脚引，无焊盘，主要通过人工装配，利用手工对产品进行插件与焊接；应用于钟表、平板电脑、微型计算机等。福建中精度型晶振电路

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