河南压控晶振电路

晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。晶振激励电平的影响：一般来讲，AT切晶体激励电平的增大，其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应，导致可能出现寄生振荡；严重热频漂；过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。滤波电路中的应用：应用于滤波电路中时，除通常的规定外，更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度，由于滤波晶体设计的特殊性，所以用户选购时应特别说明。贴片晶振在上板上机时可以自动化装配，具有尺寸小、易贴装等特点，主要用于空间相对较小的电子产品中。河南压控晶振电路

石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。温度式补偿晶体振荡器。温度式补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器，如图7所示。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型。江西石英晶振厂家晶振也就是晶振振荡器，是一种利用晶体作为频率选择元件来获得逆压电效应的电子振荡器。

晶体振荡器具有正逆压电效应这一物理特性，可以产生非常微弱的周期性振荡信号，信号再经过放大、滤波等环节后即可作为信号源使用。 。晶振的主要参数晶振的主要参数有标称频率、负载电容、频率精度、频率稳定度等，这些参数决定了晶振的品质和性能。因此，在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振，如通信网络、无线数据传输等系统就需要精度高的晶振。不过，，由于性能越高的晶振价格也越贵，所以购买时选择符合要求的晶振即可。

陶瓷晶振结构陶瓷晶振结构的上盖是与基座同样的陶瓷材料，在上盖或基座的边缘另外加上高温高纯度的玻璃结合在一起：这种玻璃材料的热膨胀系数与陶瓷很接近的。基座材料则为93氧化铝瓷；表面是黑色，基座上覆盖着陶瓷紧密结合的金属层，也称之为陶瓷金属化。陶瓷晶振特性1.耐湿性好，不易产生微裂现象。2.热膨胀系数小，热导率高。3.高稳定性、抗干扰特性。4.热冲击实验和温度循环实验后不产生损伤，机械强度高。5.能有效地遮蔽可见光及极好的反射红外线（避光性好），可满足光学相关产品的低反射要求。6.芯片和电路不受周围环境影响，绝缘性和气密性好，其气密性能满足高密封的高要求。标称频率相同的晶体互换时还必须要求负载电容一致，不能轻易互换，否则会造成电路工作不正常。

串联型晶体振荡器如图6所示。该振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1除了构成反馈电路外，还具有选频功能，其选频频率f0=fs，电位器RP1用来调节反馈信号的幅度。石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器（TCXO）、电压控制晶体振荡器（VCXO）、恒温控制式晶体振荡器（OCXO）和数字化/μp补偿式晶体振荡器（DCXO/MCXO）等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是**简单的一种，在日本工业标准（JIS）中称之为标准封装晶体振荡器（SPXO）。石英晶振封装按生产工艺可以划分为：金属封装，玻璃封装， 电阻焊。江西石英晶振厂家

不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标注在晶振外壳上。河南压控晶振电路

陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，陶瓷晶振是属于压电材料频率元件，常规分为两种压电材料，1：压电陶瓷材料，2：压电石英材料。陶瓷晶振别名又叫陶振；在中国晶振厂家经常这样叫法。陶瓷晶振是根据他内部的芯片采用的“压电陶瓷芯片材料而得名，封装一般采取塑封外形尺寸为7.5*9*3.5（单位：毫米），**产品：455KHZ系列；还有一种是采取环氧树脂和酚醛混合物作为包封材料，经过高温固化形成为硬质陶瓷材料的外壳，一般为棕色和蓝色，**产品：ZTT4.0MHZ。频率精度按照国际通用标准表示为：千分之三和千分之五。河南压控晶振电路

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