高能压敏电阻MOV电路

压敏电阻比较大允许电压（比较大限制电压MAXIMUMALLOWABLEVOLTAGE）此电压分交流和直流两种情况，如为交流，则指的是该压敏电阻所允许加的交流电压的有效值，以ACrms表示，所以在该交流电压有效值作用下应该选用具有该比较大允许电压的压敏电阻，实际上V1mA与ACrms间彼此是相互关联的，知道了前者也就知道了后者，不过ACrms对使用者更直接，使用者可根据电路工作电压，可以直接按ACrms来选取合适的压敏电阻。在交流回路中，应当有：min(U1mA)≥(2.2~2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了保证压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的安全裕度。对直流而言在直流回路中，应当有：min(U1mA)≥(1.62)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在信号回路中时，应当有：min(U1mA)≥(1.21.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。14d（14mm）压敏电阻的通流量一般为4.5kA，高焦耳产品通流量一般为6kA。高能压敏电阻MOV电路

在压敏电阻器的应用过程中，当其出现性能劣化时，常见的劣化模式有两种，第一种是开路模式，第二种是短路模式。开路模式主要发生在MOV流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。首先我们来看压敏电阻器的老化失效问题。这一问题主要指的是电阻体的低阻线性逐步加剧，此时漏电流将会恶性增加且集中注入薄弱点，导致薄弱点材料融化，形成一千欧左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。高能压敏电阻MOV电路常用的压敏电阻型号有561KD10或10D561K。

压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20μs波，即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波，另外一种为2ms的方波。所谓通流容量，即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过±10％时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电压不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。 压敏电阻具有较高的浪涌吸收能力，高达数十千安倍。

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氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。高能压敏电阻MOV电路

MOV的特点：MOV特点具有较强的浪涌吸收能力，MOV在8/20μs波形的通流范围为几百安培至几十千安培，我司直径为53mm的MOV单体在8/20μs波形的单次通流量可达70kA；压敏电压范围为18V~1800V，电压精度通常为±10%，满足低压到高压的应用需求；MOV具有双向对称的击穿电压特性，常用于交变电源线或低频信号线的保护；MOV尺寸多样化，我司可提供直径尺寸为5mm~53mm的MOV；MOV是一种老化型元器件，用于大功率电源保护时常与陶瓷气体放电管（GDT）或玻璃气体放电管（SPG）串联使用，以减缓MOV的老化，延长MOV使用寿命。高能压敏电阻MOV电路

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