湖北稳压二极管电路图

时间:2023年02月25日 来源:

肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。*****的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降*。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用,是在双极型晶体管BJT的开关电路里面,通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS,74ALS,74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。肖特基(Schottky)二极管的比较大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要***考虑。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。湖北稳压二极管电路图

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图1所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。 河北超快恢复二极管测量肖特基对管又有共阴、共阳和串联三种管脚引出方式。

激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点,但它对过电流、过电压以及静电干扰极为敏感,因此,在使用时,要特别注意不要使其工作参数超过其比较大允许值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驱动激光二极管。(2)在激光_极管电路上串联限流电阻器,并联旁路电容器。(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,以保证器件工作在一定的温度范围之内。(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管。

高压SBD图2肖特基二极管长期以来,在输出12V~24V的SMPS中,次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的SMPS中,只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出SMPS用的200VSBD。近两年来,美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机,先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺,形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构,如图2所示。采用这种结构的SBD,击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度,使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍,达到150V和200V。在正向偏置时,高压SBD的PN结的导通门限电压为,而肖特基势垒的结电压*约,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有:普通整流二极管,快恢复二极管,高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管,开关二极管、触发二极管等。二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比为动态电阻。天津贴片二极管分类

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。湖北稳压二极管电路图

SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被***采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。 湖北稳压二极管电路图

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