北京USB2.0ESD保护元件封装

静电是物体表面过剩或不足的静止电荷，是通过电子或离子的转移而形成的。一般固体静电电压可以达到20万伏以上，液体静电电压可以达到数万伏以上，人体静电电压可以达到1万伏以上。一般工业生产中，静电具有高电位、低电量、小电流和作用时间短的特点，设备或人体上的静电位比较高可达数万伏以至数千万伏。静电较之流电受环境条件，特别是湿度的影响比较大;静电测量时复现性差、瞬态现象多。测量静电是为静电防护工程设计和改善产品自身抗静电性能设计，提供数据和依据。典型的机器模型对小电阻放电的波形, 峰值电流可达几百安培，持续时间决定于放电通路的电感为几百纳秒。北京USB2.0ESD保护元件封装

Resistor不单独用于芯片的ESD保护，它往往用于辅助的ESD保护，如芯片Input***级保护和第二级保护之间的限流电阻。当ESD电流过大，***级ESD器件难以将电压钳位至安全区域时，第二级ESD器件的导通将使其与电阻分压，从而进一步降低进入内部电路的电压。又如用于GG-NMOS的栅电阻，如图6所示，NMOS的栅极通过一电阻接地，而非直接接地。如此一来，在NMOS漏端发生正向的ESD脉冲时，由于NMOS的漏一栅电容，会使得器件的栅极耦合出一正的电势，该电势会促使NMOS的沟道开启，从而起到降低NMOS在ESD应力下触发电压的目的。上海USB2.0ESD保护元件测试静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响。

降低防护器件结电容的设计方法当防护器件的并联结电容较大时，将对高频信号产生“衰耗”作用，此时需要改进防护电路的设计，降低结电容对信号质量的影响。常用的设计方法有;A二极管偏置法二极管结电容随反向偏升高而降低，对防护一极管施加话当的反向偏压可适用更高频率电路。B.二极管串联法一-两个相同防护二极管串联可使接入电容减小一半。C阻抗匹配法一-当防护二极管的结电容太大，可以对防护器件并联小电感，使之和二极管结电容并联谐振在工作信号频率点，这时保护电路对工作频率呈高阻抗，从而减小对高频电路四配的影响，并有利于加强防护。

现代通信技术和微电子技术推动半导体器件向微型化、高频高速、高集成度、微功耗方向发展，从而促进半导体材料和工艺的不断更新。具有良好高频特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半导体化合物材料通常属于ESD高敏感材料:高集成度芯片内部的细引线、小间距、薄膜化使器件尺寸进一步缩小，氧化层进一步减薄，导致器件抗ESD能力越来越低高速数字电路、高频模拟电路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工艺，采这些工艺制作的器件明显具有ESD高敏感特性。IC中的线宽和间距越来越窄(从儿un到0.07m)，电源电压越来越低(从15V到15V)，IC抗ESD损坏的阈值电压越来越低。例如，现在通信设备中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工艺制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高频芯片中集成的MIM电容等，它们的静电敏感电压都在数百伏，低达100V，成为ESD高损伤率器件。ESD静电保护元件可提供多种封装形式。

静电ESD保护元件选型注意事项：1.传输速率，也就是电容量的控制，现在随着工艺的不断完善，电容量越做越低。2.符合测试要求的标准，不是越高越好，而是适合自已的产品，例如：空气放电15KV 接触 8KV3.设计时考虑PCB板的空间条件。4.安全考虑，yint公司首席技术经理，说过一句很经典的话，在电路中，假如非万不得已不要增加多余的器件，每增加一个，就是增加失效风险，保护的器件也不例外。ESD器件作为保护器件，它也有失效益机率，所以设计选型时尽量找些资质比较好的供应商。静电放电可达到高达几十千伏的放电电压。广东BNC接口ESD保护元件电容

硅基ESD保护器件的结电容与其芯片面积成正比关系。北京USB2.0ESD保护元件封装

ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。北京USB2.0ESD保护元件封装

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