齐纳二极管作用

时间:2023年03月01日 来源:

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有:普通整流二极管,快恢复二极管,高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管,开关二极管、触发二极管等。插件二极管的封装类型有DO-201,DO-27,DO-41等。齐纳二极管作用

肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。*****的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降*。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用,是在双极型晶体管BJT的开关电路里面,通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS,74ALS,74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。肖特基(Schottky)二极管的比较大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要***考虑。齐纳二极管作用肖特基二极管是贵金属A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒。

触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅,在电路中作过压保护等用途。测量双向触发二极管的转折电压的方法:将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。

激光二极管具有体积小、重量轻、耗电低、驱动电路简单、调制方便、耐机械冲击以及抗震动等优点,但它对过电流、过电压以及静电干扰极为敏感,因此,在使用时,要特别注意不要使其工作参数超过其比较大允许值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驱动激光二极管。(2)在激光_极管电路上串联限流电阻器,并联旁路电容器。(3)由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,以保证器件工作在一定的温度范围之内。(4)为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管。二极管最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。

MOS管,即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(比较高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管。场效应管是利用多数载流子导电的电压控制元件,在只允许从信号源取较少电流的情况下,一般选用场效应管。MOS管一般应用于放大、阻抗变换、可变电阻、恒流源、电子开关等应用场合。我们可提供多种封装类型及规格的PMOS和NMOS产品,产品封装形式有TO-252、PDFN5*6、ESOT-23、SOP-8、SOT-23、PDFN2*2、PDFN3*3、SOT-363、SOT-323、TO-220、TO-220F、ESOP-8、TO-247等。稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的。辽宁小信号肖特基二极管功率

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。齐纳二极管作用

LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向,相位是随机的,激光二极管发出的光子是同方向,同相位。LED的**显着特点是使用寿命长,光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。LD是激光二极管的英文缩写,激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。半导体雷射二极管的工作原理,理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱,激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了***的应用。二者在原理、架构、效能上的差别。(1)在工作原理上的差别:LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受激辐射复合发光。(2)在架构上的差别:LD有光学谐振腔,使产生的光子在腔内振荡放大,LED没有谐振腔。(3)效能上的差别:LED没有临界值特徴,光谱密度比LD高几个数量级,LED汇出光功率小,发散角大。 齐纳二极管作用

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