O型脚压敏电阻MOV保护

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MOV的特点：MOV特点具有较强的浪涌吸收能力，MOV在8/20μs波形的通流范围为几百安培至几十千安培，我司直径为53mm的MOV单体在8/20μs波形的单次通流量可达70kA；压敏电压范围为18V~1800V，电压精度通常为±10%，满足低压到高压的应用需求；MOV具有双向对称的击穿电压特性，常用于交变电源线或低频信号线的保护；MOV尺寸多样化，我司可提供直径尺寸为5mm~53mm的MOV；MOV是一种老化型元器件，用于大功率电源保护时常与陶瓷气体放电管（GDT）或玻璃气体放电管（SPG）串联使用，以减缓MOV的老化，延长MOV使用寿命。湖北压敏电阻MOV电路图常用的压敏电阻型号有471KD10或10D471K。

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。

贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。压敏电阻很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中应用。

压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。14d（14mm）压敏电阻的通流量一般为4.5kA，高焦耳产品通流量一般为6kA。高焦耳压敏电阻MOV原理

压敏电阻的响应时间为ns级。O型脚压敏电阻MOV保护

压敏电阻(6)电压比：电压比是指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。(7)额定功率在规定的环境温度下所能消耗的最大功率。(8)比较大峰值电流(SURGECURRENT(8/20μs))一次以8/20μs标准波形的电流作一次冲击的最大电流值，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。2次以8/20μs标准波形的电流作两次冲击的最大电流值，两次冲击时间间隔为5分钟，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。(9)残压比流过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则为残压与标称电压之比。O型脚压敏电阻MOV保护

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