北京压敏电阻MOV电路图

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。北京压敏电阻MOV电路图

压敏电阻基本参数：7．电压温度系数：指在规定的温度范围（温度为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时，压敏电阻器两端电压的相对变化。8．电流温度系数：指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。9．电压非线性系数：指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。10．绝缘电阻：指压敏电阻器的引出线(引脚)与电阻体绝缘表面之间的电阻值。11．静态电容量（PF）：指压敏电阻器本身固有的电容容量。12.额定功率：在特定的环境温度85℃下工作1000小时，使压敏电压变化小于10%的最大功率。13.比较大冲击电流(8/20us):以特定的脉冲电流(8/20us波形)冲击压敏电阻器一次或两次（每次间隔5分钟），使的压敏电压变化仍在10%以内的比较大冲击电流。北京压敏电阻MOV电路图现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。

压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。

压敏电阻(10)漏电流漏电流又称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和比较大直流电压***过压敏电阻器的电流。(11)电压温度系数电压温度系数是指在规定的温度范围（温度为20~70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时压敏电阻两端的相对变化。(12)电流温度系数电流温度系数是指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。(13)电压非线性系数电压非线性系数是指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。(14)绝缘电阻绝缘电阻是指压敏电阻器的引出线（引脚）与电阻体绝缘表面之间的电阻值。(15)静态电容静态电容是指压敏电阻器本身固有的电容容量。压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。**（20mm）压敏电阻的通流量一般为6.5kA，高焦耳产品通流量一般为10kA。

压敏电阻选型这个是压敏电阻的规格书，对于压敏电阻，我们**需要看的几个参数，***个参数，这个是指的，压敏电阻的变阻电压，这里是18V，括号中是。变阻电压就是18V然后存在几V的误差。既然存在误差，我们在选的是要查查误差能不能满足我们的设计要求了。看看这两个参数，有一个Vac交流，还有一个Vdc直流，我们先讲交流，如果我们的电源，输入有个压敏180KD10，如果我们的电源，输入电压比较大的时候，Vac=12V，能不能使用180KD10这颗压敏电阻？AC指的都是有效值。其实很简单，比较大输入电压12VAC，是不可以使用的。比较大输入电压，不可以超过这个电压的。很显然，Vdc指的是如果我们的电源输入电压是直流电压，那么我们直接可以不超过14V，就可以使用的。***就是这个，这个是压敏电阻的通流量了，标准值和比较大值，也就是有通过这么大电流的能力。压敏电阻承受的异常过电压特性的不同，可将压敏电阻区分为浪涌抑制型、高功率型和高能型这三种类型。北京压敏电阻MOV电路图

压敏电阻是一种限压型保护器件。北京压敏电阻MOV电路图

在压敏电阻各种不同的应用中，要用到I-V特性曲线的所有区段，小电流线性区决定了功耗，即决定外加稳态电压时的工作电压。非线性区决定着施加瞬态浪涌时的限制电压。高电流区的特性**了保护大电流冲击比如雷电的极限情况。因此对于高电流运用情况，我们希望元件的上升出现在尽可能高的电流密度区段，这样会使元件电压上升**小。以下将介绍压敏电阻器的主要应用参数及其功能。研究表明在室温下ZnO晶粒的电阻率为()x10m，晶界区的电阻率约为(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同测定晶界电阻率的测试技术的情况下，所得到的晶界电阻率基本上是很接近的。因此决定压敏电压高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是获得所要求的元件的电压的构成单元。也就是说，这是压敏电压的体积效应。为提高压敏电压，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者减少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。对于一个固定的配方，晶粒大小的主要影响因素有:烧结温度、保温时间、原料的颗粒度。此外还可以在配方中引入一些新的添加剂，在烧结过程中抑制晶粒的长大或者改变晶界电阻率来提高元件的电压梯度。北京压敏电阻MOV电路图

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