重庆压敏电阻MOV电性

压敏电阻的选用及注意事项：选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值[1]。漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值[1]。通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流[1]。浪涌环境参数包括比较大浪涌电流Ipm（或比较大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的**小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。 7D压敏电阻脚间距一般为5.0mm。重庆压敏电阻MOV电性

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件。重庆压敏电阻MOV电性20mm 压敏电阻脚间距一般为7.5mm或10mm。

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。

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“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。 压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用。重庆压敏电阻MOV电性

压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的比较大通流量。重庆压敏电阻MOV电性

压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20μs波，即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波，另外一种为2ms的方波。所谓通流容量，即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过±10％时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电压不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。重庆压敏电阻MOV电性

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