贴片压敏电阻MOV电容

压敏电阻的控制电压：控制电压一般是写成Vop=Operatingvoltage，控制电压是指压敏电阻器两端所能承受的高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻时次两端所产生的电压，此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的控制电压（Vp）（残压）一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的。一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称压敏电压，即使在电源波动情况坏时，也不应高于额定值中选择的连续工作电压，该连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC。常用的压敏电阻型号有621KD10或10D621K。贴片压敏电阻MOV电容

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。 贴片压敏电阻MOV电容压敏电阻器的保护功能，绝大多数应用场合下，是可以多次反复作用的。

高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。

压敏电阻是大家都会经常用的一款电阻器，那么对于压敏电阻发展历史你们有所了解吗？为此小编跟大家科普一下这方面的知识。一起进入本文的主题吧！1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、tiO等)压敏电阻器也得到发展。目前压敏电阻在各类电源设备被使用。 压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

在压敏电阻器的应用过程中，当其出现性能劣化时，常见的劣化模式有两种，第一种是开路模式，第二种是短路模式。开路模式主要发生在MOV流过远远超出自身承受的浪涌电流时，通常表现为压敏电阻本体炸裂，但这种模式不会引起燃烧现象。短路模式大体上可分为老化失效和暂态过电压破坏两种类型。首先我们来看压敏电阻器的老化失效问题。这一问题主要指的是电阻体的低阻线性逐步加剧，此时漏电流将会恶性增加且集中注入薄弱点，导致薄弱点材料融化，形成一千欧左右的短路孔后，电源继续推动一个较大的电流灌入短路点，形成高热而起火。5d（5mm）压敏电阻的通流量一般为400A，高焦耳产品通流量一般为10kA。贴片压敏电阻MOV电容

压敏电阻很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中应用。贴片压敏电阻MOV电容

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。贴片压敏电阻MOV电容

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