重庆负温度系数热敏电阻选型

热敏电阻的测试,测试时应注意以下几点：（1）Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。（2）测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。（3）注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。（4）注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。热敏电阻主要缺点：①阻值与温度的关系非线性严重；②元件的一致性差，互换性差；③元件易老化，稳定性较差；④除特殊高温热敏电阻外，绝大多数热敏电阻*适合0～150℃范围，使用时必须注意。高分子PTC热敏电阻又经常被人们称为自恢复保险丝，由于具有独特的正温度系数电阻特性用作过流保护器件。重庆负温度系数热敏电阻选型

热敏电阻的阻值会随着温度的改变而改变，而这种改变是非线性的，Steinhart-Hart公式表明了这一点。在进行温度测量时，需要驱动一个通过热敏电阻的参考电流，以创建一个等效电压，该等效电压具有非线性的响应。您可以使用配备在微控制器上的参照表，尝试对热敏电阻的非线性响应进行补偿。即使您可以在微控制器固件上运行此类算法，但您还是需要一个高精度转换器用于在出现极端值温度时进行数据捕获。另一种方法是，您可以在数字化之前使用“硬件线性化”技术和一个较低精度的ADC。(Figure1)其中一种技术是将一个电阻RSER与热敏电阻RTHERM以及参考电压或电源进行串联（见图1）。将PGA（可编程增益放大器）设置为1V/V，但在这样的电路中，一个10位精度的ADC只能感应很有限的温度范围（大约±25°C）。广西NTC热敏电阻电路额定工作电流IM：热敏电阻器在工作状态下规定的名义电流值。

热敏电阻的主要特点是：①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化；②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前比较高可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～-55℃；③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；④使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强。

钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构，是一种铁电材料，纯钛酸钡是一种绝缘材料．在钛酸钡材料中加入微量稀土元素，进行适当热处理后，在居里温度附近，电阻率陡增几个数量级，产生PTC效应，此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料，晶粒之间存在着晶粒间界面。该半导瓷当达到某一特定温度或电压，晶体粒界就发生变化，从而电阻急剧变化。钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界（晶粒间界）。对于导电电子来说，晶粒间界面相当于一个势垒。当温度低时，由于钛酸钡内电场的作用，导致电子极容易越过势垒，则电阻值较小。当温度升高到居里温度（即临界温度）附近时，内电场受到破坏，它不能帮助导电电子越过势垒。这相当于势垒升高，电阻值突然增大，产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型，它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释。热敏电阻使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择。

BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E为常数。另外，因生产条件不同造成的B值的波动会引起常数E发生变化，但常数C、D不变。因此，在探讨B值的波动量时，只需考虑常数E即可。常数C、D、E的计算，常数C、D、E可由4点的（温度、电阻值）数据（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通过式3～6计算。首先由式样3根据T0和T1,T2,T3的电阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式样。电阻值计算例：试根据电阻－温度特性表，求25°C时的电阻值为5(kΩ），B值偏差为50(K）的热敏电阻在10°C～30°C的电阻值。步骤（1）根据电阻－温度特性表，求常数C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）将数值代入R=5exp{(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。热敏电阻易加工成复杂的形状，可大批量生产；⑥稳定性好、过载能力强。江苏负温度系数热敏电阻参数

NTC额定室温电阻取决于基本材料的电阻率，大小和几何形状，以及电极的接触面积。重庆负温度系数热敏电阻选型

电子跳跃模型(electronhoppingmodel)是目前在Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷中被***认可和接受的导电机理。该模型认为在该体系中电子导电存在两个条件：(1)金属离子的价态是可以变价的；(2)变价的金属离子在晶体学中占据相同的位置。对于Ni-Mn-O材料体系而言，一般都含有可变价的Mn离子，存在+4、+3、+2等诸多价态，其中Mn4++和Mn3+离子一般倾向于进入尖晶石结构中的B位，而Mn2+离子则会倾向进入A位。在尖晶石结构中，由于B-B位之间的距离略小于A-A位之间的距离，所以电子会在距离较短的B位Mn4+离子和Mn3+离子之间进行跳跃，产生跳约导电。重庆负温度系数热敏电阻选型

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