江苏超大功率瞬态抑制二极管选型
常用电路保护器件的主要失效模式为短路，瞬变电压抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS生产厂家和使用方都想极力减少或避免的情况通过对TVS筛选和使用短路失效样品进行解剖观察获得其失效部位的微观形貌特征结合器件结构，材料、制造工艺、工作原理、筛选或使用时所受的应力等，采用理论分析和试验证明等方法分析导致TVS器件短路失效的原因，分析结果表明引发TVS短路失效的内在质量因素包括粘结界面空洞、台面缺陷，表面强耗尽层或强积累层、芯片裂纹和杂质扩散不均匀等，使用因素包括过电应力、高温和长时间使用耗损等。将TVS 二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲。江苏超大功率瞬态抑制二极管选型
齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。河北15000W瞬态抑制二极管参数TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃，T=10ms条件下，可达50～200A 。
比较大峰值脉冲功耗PMPM是TVS能承受的比较大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值，请查阅有关产品手册。在给定的比较大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS损坏。
选用技巧编辑播报1、确定被保护电路的比较大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“**”容限。2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。3、TVS的比较大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。4、在规定的脉冲持续时间内，TVS的比较大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定比较大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。TVS的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN 结雪崩器件。
TVS的封装类型有：2）SMA/DO-214AC封装：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封装：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封装：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封装：P4KE系列（400W）；7）DO-15封装：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。河北15000W瞬态抑制二极管电压
当瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤。江苏超大功率瞬态抑制二极管选型
反向击穿性PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。江苏超大功率瞬态抑制二极管选型
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