河北收发硅光芯片耦合测试系统报价

经过多年发展,硅光芯片耦合测试系统如今已经成为受到普遍关注的热点研究领域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工艺,硅光子学被认为是实现高集成度光子芯片的较佳选择。但是,硅光子学也有其固有的缺点,比如缺乏高效的硅基有源器件,极低的光纤-波导耦合效率以及硅基波导明显的偏振相关性等都制约着硅光子学的进一步发展。针对这些问题,试图通过新的尝试给出一些全新的解决方案。首先我们回顾了一些光波导的数值算法,并在此基础上开发了一个基于柱坐标系的有限差分模式分析器,它非常适合于分析弯曲波导的本征模场。对于复杂光子器件结构的分析,我们主要利用时域有限差分以及波束传播法等数值工具。接着我们回顾了硅基光子器件各项主要的制造工艺和测试技术。重点介绍了几种基于超净室设备的关键工艺,如等离子增强化学气相沉积,电子束光刻以及等离子体干法刻蚀。为了同时获得较高的耦合效率以及较大的对准容差,本论文主要利用垂直耦合系统作为光子器件的主要测试方法。硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：可嵌入性。河北收发硅光芯片耦合测试系统报价

硅光芯片耦合测试系统是一种应用双波长的微波光子频率测量设备,以及一种微波光子频率测量设备的校正方法和基于此设备的微波频率测量方法。在微波光子频率测量设备中,本发明采用独特的双环耦合硅基光子芯片结构,可以形成两个不同深度的透射谱线。该系统采用一定的校准方法,预先得到微波频率和两个电光探测器光功率比值的函数,测量过程中,得到两个电光探测器光功率比值后,直接采用查表法得到微波频率。该系统将多个光学器件集成在硅基光学芯片上,从整体上减小了设备的体积,提高系统的整体可靠性。青海保偏硅光芯片耦合测试系统生产厂家硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：处理的应用领域广。

硅光芯片耦合测试系统使用到一些有视觉辅助地初始光耦合的步骤是属于耦合工艺的一部分。在此工艺过程中，输入及输出光纤阵列和波导输入及输出端面的距离大约是100~200微米，以便通过使用机器视觉精密地校准预粘接间隙的测量，为后面必要的旋转耦合留出安全的空间。旋转耦合技术的原理。大体上来讲，旋转耦合是通过使用线性偏移测量及旋转移动相结合的方法，将输出光纤阵列和波导的的第1个及结尾一个通道进行耦合，并作出必要的更正调整。输出光纤阵列的第1个及结尾一个通道和两个光探测器相联接。

在光芯片领域，芯片耦合封装问题是光子芯片实用化过程中的关键问题，芯片性能的测试也是至关重要的一步骤，现有的硅光芯片耦合测试系统系统是将光芯片的输入输出端光纤置于显微镜下靠人工手工移动微调架转轴进行调光，并依靠对输出光的光功率进行监控，再反馈到微调架端进行调试。芯片测试则是将测试设备按照一定的方式串联连接在一起，形成一个测试站。具体的，所有的测试设备通过光纤，设备连接线等连接成一个测试站。例如将VOA光芯片的发射端通过光纤连接到光功率计，就可以测试光芯片的发端光功率。将光芯片的发射端通过光线连接到光谱仪，就可以测试光芯片的光谱等。硅光芯片耦合测试系统保证产品质量一致性，节约了人力成本，降低对人工的依赖。

硅光芯片耦合测试系统中硅光芯片与激光器的封装结构,封装结构包括基座,基座设置与硅光芯片连接的基座贴合面,与激光器芯片和一体化反射镜透镜连接的基座上表面;基座设置通孔,通孔顶部开口与一体化反射镜透镜的出光面连接,通孔底部开口与硅光芯片的光栅耦合器表面连接;激光器芯片靠近一体化反射镜透镜的入光面的一端设置高斯光束出口;激光器芯片的高斯光束方向水平射入一体化反射镜透镜的入光面,经一体化反射镜透镜的反射面折射到一体化反射镜透镜的出光面,穿过通孔聚焦到光栅耦合器表面;基座贴合面与基座上表面延伸面的夹角为a1。通过对基座的底部进行加工形成斜角,角度的设计满足耦合光栅的较佳入射角。硅光芯片耦合测试系统的优势：强电流加载控制子系统采用大功率超导电源对测试样品进行电流加载。河北收发硅光芯片耦合测试系统报价

硅光芯片耦合测试系统硅光芯片的好处：更耐用。河北收发硅光芯片耦合测试系统报价

基于设计版图对硅光芯片进行光耦合测试的方法及系统,该方法包括:读取并解析设计版图,得到用于构建芯片图形的坐标簇数据,驱动左侧光纤对准第1测试点,获取与第1测试点相对应的测试点图形的第1选中信息,驱动右侧光纤对准第二测试点,获取与第二测试点相对应的测试点图形的第二选中信息,获取与目标测试点相对应的测试点图形的第三选中信息,通过测试点图形与测试点的对应关系确定目标测试点的坐标,以驱动左或右侧光纤到达目标测试点,进行光耦合测试;该系统包括上位机,电机控制器,电机,夹持载台及相机等;本发明具有操作简单,耗时短,对用户依赖程度低等优点,能够极大提高硅光芯片光耦合测试的便利性。河北收发硅光芯片耦合测试系统报价