西藏反并联可控硅模块价格

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘，环境温度范围-25℃--45℃，下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤：  1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂，然后用螺钉把模块固定于散热器上，四个螺钉用力要均等。

  2、用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，套上绝缘热缩管，用热风或热水加热收缩，导线截面积按电流密度<4A/mm2选取，禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。

  3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固，保持良好的平面压力接触。

  4、可控硅模块的电极易掀起折断，接线时应防止重力将电极拉起折断。 上海快恢复可控硅模块淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！

相信大家对于可控硅模块并不陌生了，现代在电气行业的不断发展，可控硅模块的使用范围越来越广，但是你对可控硅模块的了解有多少呢，它的主要参数有哪些你知道吗？下面为大家讲解。

可控硅模块的主要参数有：

(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

可控硅模块属于电气元器件，目前双向可控硅模块是比较理想的交流开关器件，它是从普通可控硅模块的基础上发展而来的，使用更加方便、安全可靠。下面正高来带您了解下双向可控硅模块的特点与性能。

双向可控硅模块是由一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅模块有两个主电极T1和T2和一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第 1和第 3象限有对称的伏安特性。双向可控硅模块门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅模块，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅模块进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。 淄博正高电气有限公司以诚信为根本，以质量服务求生存。

只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早，可控硅模块导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅模块导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。

这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅模块导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅模块在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 淄博正高电气有限公司深受各界客户好评及厚爱。山东双向可控硅模块组件

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可控硅模块的分类：

1、以关断、导通及控制方式来分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、以引脚和极性来分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

3、以封装形式来分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

4、以电流容量来分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

5、以关断速度来分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

6、过零触发，一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅参数介绍

7、非过零触发，无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发。

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