莱芜高压可控硅模块报价

可控硅模块是有PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极a，阴极K和控制机G所构成的。

可控硅模块的应用领域模块应用详细说明介绍：

可控硅模块应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、**等各类电气控制、电源等，根据还可通过可控硅模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可实现过流、过压、过温、缺相等保护功能。 淄博正高电气有限公司倾城服务，确保产品质量无后顾之忧。莱芜高压可控硅模块报价

可控硅模块的使用注意事项

1.在选择可控硅模块的额定电流时，应注意的是，除考虑通过元件的平均电流外，还必须注意正常运行过程中传导角的大小、散热和通风条件等因素，同时，管壳的温度不得超过相应电流的允许值。

2.使用可控硅模块时，使用万用表检查可控硅模块是否处于良好状态，如有短路或断路，应立即更换。

3.严禁使用兆欧表来检查部件的绝缘情况。

4.率大于5A的可控硅模块，应安装散热器，并保证规定的冷却条件。同时，为保证散热器与可控硅模块管芯接触良好，应在两者之间涂一层有机硅油或硅脂，以利于更好的散热。

5.根据规定，主电路中的可控硅模块采用过电压和过电流保护装置。

6.防止控制极正向过载和反向击穿。 威海反并联可控硅模块哪家好淄博正高电气有限公司尊崇团结、信誉、勤奋。

正高可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有两个阳极：一阳极A1(T1)，二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。

  只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。

选择可控硅模块时不能只看表面，应参考实际工作条件来选择，选用可控硅模块的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。

1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷：风速≥6m/s，风温≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃；

(4)空气相对湿度≤85%；

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃；

(6)气压86—106Kpa；

(7)无剧烈震动或冲击；

(8)若有特殊场合，应进行相应的试验，证明工作可靠方可使用。 淄博正高电气有限公司不断完善自我，满足客户需求。

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

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可控硅模块的分类：

1、以关断、导通及控制方式来分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、以引脚和极性来分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

3、以封装形式来分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

4、以电流容量来分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

5、以关断速度来分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

6、过零触发，一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅参数介绍

7、非过零触发，无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发。

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