湖北大功率晶闸管模块组件
1(1)晶闸管智能控制模块均采用本公司**开发的全数字移相触发集成电路,实现了控制电路与晶闸管主电路集成一体化,使模块具备了弱电控制强电的电力调控功能。2(2)晶闸管智能模块采用进口方形芯片、高级芯片支撑板,模块压降小、功耗低,效率高,节电效果好。3(3)晶闸管智能模块采用进口贴片元件,保证了触发控制电路的可靠性。4(4)晶闸管智能模块采用(DBC)陶瓷覆铜板,经独特处理方法和特殊焊接工艺,保证焊接层无空洞,导热性能好。热循环负载次数高于国家标准近10倍。5(5)晶闸管智能模块采用高级导热绝缘封装材料,绝缘、防潮性能优良。6(6)晶闸管模块采用触发控制电路、主电路与导热底板相互隔离,导热底板不带电.绝缘强度≥2500V(RMS),保证人身安全。正高电气我们完善的售后服务,让客户买的放心,用的安心。湖北大功率晶闸管模块组件
它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,*当黑表笔接G极。湖北大功率晶闸管模块组件正高电气建立双方共赢的伙伴关系是我们孜孜不断的追求。
晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2。
特点:1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便典型应用:1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、如果产品装机配型不适用,可退换货给您满意贴心的服务,是我们一贯的宗旨!有10多年功率半导体元器件制造经验,是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的****,多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX)。大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源。正高电气公司依托便利的区位和人才优势。
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