滨州MTDC250晶闸管智能模块厂家

晶闸管智能模块的散热要求

模块散热条件的好坏直接关系到产品的使用寿命和短时过载能力，温度越低模块的输出电流越大，所以在使用中一定要配备散热器和风机，建议采用带有过热保护功能的产品，有水冷散热条件的优先选择水冷散热。我们经过严格测算，确定了不同型号的产品所应该配备的散热器型号，推荐采用厂家配套的散热器和风机，用户自备时按以下原则选取：

1、轴流风机的风速应大于6m/s ；

2、一定要能保证模块正常工作时散热底板温度不大于 80℃；

3、模块负载较轻时，可减小散热器的大小或采用自然冷却；

4、采用自然方式冷却时散热器周围的空气能实现对流并适当增大散热器面积；

5、所有紧固模块的螺钉一定要拧紧，压线端子连接牢固，以减少次生热量的产生，模块底板和散热器之间一定要要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫，以达到良好散热效果。 诚挚的欢迎业界新朋老友走进正高电气！滨州MTDC250晶闸管智能模块厂家

    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。滨州MTDC250晶闸管智能模块厂家正高电气通过专业的知识和可靠技术为客户提供服务。

    电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。

    并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点。以客户至上为理念，为客户提供咨询服务。

晶闸管智能模块的输出特性

模块的控制电压与控制角α的关系因负载性质和电路形式的不同而有所区别：

单相交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～ 180°，控制电压对应0.5V～9.5V。

单相整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于5V～9.5V。

三相全控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～120°，控制电压对应2V～8V；感性负载时α范围为0°～90°，控制电压对应于3.5V～8V。

三相半控整流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～180°，控制电压对应0.5V～9.5V。

三相全控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～150°，控制电压对应1.5V～9V。

三相半控交流调压模块用于阻性负载时，α有效范围为0°～210°，控制电压对应0.5V～9.5V。

三相整流充放电模块逆变放电时，α有效范围为90°～180°，控制电压对应0.5V～5V；整流充电时，α有效范围为0°～90°，控制电压对应5V～9.5V。

注：交流调压模块用于感性负载时α应大于负载阻抗角Ψ，即α≥Ψ；当α≤Ψ时，模块已输出较大电压，且不再随α的改变而变化。 正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。滨州MTDC250晶闸管智能模块厂家

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    QXPU-1型恒功率晶闸管中频电源控制板使用说明书小芯片六脉波1、概述QXPU-1恒功率晶闸管中频电源控制板主要由电源、调节器、移相控制、保护电路、相序自适应电路、启动演算电路、逆变频率、逆变脉冲形成、脉冲放大及脉冲变压器组成。其部件采用高性能、高密度、大规模**MPU集成电路，使其电路除调节器外，其余均实现数字化，整流触发器部分不需要任何调整，具有可靠性高、脉冲对称度高、抗干扰能力强、反应速度快等特点，又由于有相序自适应电路，无需同步变压器，所以，现场调试中免去了调相序、对同步的工作，*需把KP晶闸管的门极线接入控制板相应的接线端上，整流部分便能投入运行。逆变采用扫频式零压软启动方式，启动性能优于普通的零压软启动电路。并设有自动重复启动电路，可防止中频电源偶尔的启动失败，使启动成功率达到。频率电路采用的是平均值取样方案，提高了逆变的抗干扰能力，而且*需取样中频电压信号，而无需槽路电容器的电流信号，免去了外接中频电流互感器、确定取样电流相位的烦恼。因此，在调试和使用现场中，也不会由于中频输出线或取样电流互感器的相位接反，而产生中频电源不能启动的问题。逆变电路中还加有逆变角调节电路。滨州MTDC250晶闸管智能模块厂家

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