湖南恒压裸板电源

    由于这种电路在开关管VT1导通时，通过变压器向负载传送能量，所以输出功率范围大，可输出50－200Ｗ的功率。电路使用的变压器结构复杂，体积也较大，正因为这个原因，这种电路的实际应用较少。４．自激式开关稳压电源自激式开关稳压电源的典型电路如图五所示。这是一种利用间歇振荡电路组成的开关电源，也是目前***使用的基本电源之一。当接入电源后在R1给开关管VT1提供启动电流，使VT1开始导通，其集电极电流Ic在L1中线性增长，在L2中感应出使VT1基极为正，发射极为负的正反馈电压，使VT1很快饱和。与此同时，感应电压给C1充电，随着C1充电电压的增高，VT1基极电位逐渐变低，致使VT1退出饱和区，Ic开始减小，在L2中感应出使VT1基极为负、发射极为正的电压，使VT1迅速截止，这时二极管VD1导通，高频变压器Ｔ初级绕组中的储能释放给负载。在VT1截止时，L2中没有感应电压，直流供电输人电压又经R1给C1反向充电，逐渐提高VT1基极电位，使其重新导通，再次翻转达到饱和状态，电路就这样重复振荡下去。这里就像单端反激式开关电源那样，由变压器Ｔ的次级绕组向负载输出所需要的电压。自激式开关电源中的开关管起着开关及振荡的双重作从，也省去了控制电路。当裸板电源输出电压过低时该怎么解决呢?湖南恒压裸板电源

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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

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以产生频率由误差信号vea决定的开关频率信号。其频率可以随vea变小而变小(降频)；或者对应不同的误差信号vea，其频率有不同的变化，参见图11。如图11左图(a)所示，开关频率信号的频率f随着误差信号vea的减小而减小，从**大频率fmax减小至**小频率fmin；而在图11的中间图(b)中，开关频率信号的频率f在误差信号vea处于不同区间时有不同的变化：如在误差信号vea小于vea1时，频率被限制在**小频率fmin；在误差信号vea介于vea1和vea2之间时，频率随着误差信号vea的减小而减小；在误差信号vea大于vea2时，频率被限制在**大频率fmax。在一个实施例中，触发信号可以基于副边开关电路101两端的电压vdsr而产生。由于系统工作在电流断续模式或者临界电流模式下，副边开关电路101两端的电压在流经其上的电流为零后开始产生寄生振荡，振荡的中心值是输出电压vo。因此，为进一步减小损耗，触发信号可以通过检测电压vdsr的**低值产生。当电压vdsr小于第三阈值vth3(即设定阈值)时，导通101(即本领域技术人员熟知的“谷底开通”技术)，如图8所述。此时所述触发信号发生电路18包括谷底检测电路，比较副边开关电路101两端的电压vdsr与第三阈值vth3的大小，当该电压vdsr小于第三阈值vth3时。湖南恒压裸板电源

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