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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。在天猫里搜衡孚旗舰店咨询客服裸板电源的价格！宁夏裸板电源欢迎咨询
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整流电路8的开关元件q5、q6不与开关电路7同步而是单独地驱动。控制部10的构成包括目标电压设定部10a、反馈控制部10b、控制量调整部10c、同步整流控制部10d、电流阈值计算部10e。目标电压设定部10a将预先设定的目标电压vref向反馈控制部10b发送。基于欲从电源2的电压向负载3输出的电压值来决定目标电压vref。反馈控制部10b对目标电压vref与输出电压vout进行比较，通过调整占空比来进行控制(反馈控制)以使输出电压vout接近目标电压vref。反馈控制部10b将根据目标电压vref和输出电压vout而确定的通常占空比d输出到脉冲生成部11和电流阈值计算部10e，并使用通常占空比d进行反馈控制。另外，反馈控制部10b在从控制量调整部10c被输入后述的切换用占空比d′的情况下，从通常占空比d替换成进行中断控制的切换用占空比d′，并输出到脉冲生成部11以及电流阈值计算部10e。控制量调整部10c在进行中断控制时，决定从通常占空比d替换成的切换用占空比d′。切换用占空比d′是在非同步整流控制中的扼流线圈9a中流过电流时的占空比的理想值，由以下的式(1)、(2)决定。【数学式1】【数学式2】在式(1)、(2)中，vs、vin为输入电压；vout为输出电压；iout为检测电流；fsw为开关频率。裸板电源输出电压不稳如何解决?
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电路中所谓的单端是指高频变换器的磁芯工作在磁滞回线的一侧。所谓的反激，是指当开关管VT1导通时，高频变压器Ｔ初级绕组的感应电压为上正下负，整流二极管VD1处于截止状态，在初级绕组中储存能量。当开关管VT1截止时，变压器Ｔ初级绕组中存储的能量，通过次级绕组及VD1整流和电容Ｃ滤波后向负载输出。单端反激式开关电源是一种成本比较低的电源电路，输出功率为20－100Ｗ，可以同时输出不同的电压，且有较好的电压调整率。***的缺点是输出的纹波电压较大，外特性差，适用于相对固定的负载。单端反激式开关电源使用的开关管VT1承受的比较大反向电压是电路工作电压值的两倍，工作频率在20－200kHz之间。３．单端正激式开关电源单端正激式开关电源的典型电路如图四所示。这种电路在形式上与单端反激式电路相似，但工作情形不同。当开关管VT1导通时，VD2也导通，这时电网向负载传送能量，滤波电感Ｌ储存能量；当开关管VT1截止时，电感Ｌ通过续流二极管VD3继续向负载释放能量。在电路中还设有钳位线圈与二极管VD2，它可以将开关管VT1的比较高电压限制在两倍电源电压之间。为满足磁芯复位条件，即磁通建立和复位时间应相等，所以电路中脉冲的占空比不能大于５０％。宁夏裸板电源欢迎咨询
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