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开关元件q5连接在变压器7a的二次绕组l2的一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q6连接在变压器7a的二次绕组l2的另一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q5、q6的栅极端子与驱动电路12连接，且基于来自驱动电路12的脉冲信号t5、t6进行驱动。开关元件q5、q6在同步整流控制时与开关电路7同步地驱动，在非同步整流控制时与开关电路7单独地驱动。开关元件q5、q6对已利用开关电路7转换后的交流电压进行整流，并转换为直流电压。平滑电路9使整流电路8整流后的直流电压平滑化，并向负载3输出。平滑电路9的构成包括扼流线圈9a和电容器9b。扼流线圈9a串联连接在二次绕组的分支点ct与负载侧输入端子3a之间。电容器9b连接在负载侧输入端子3a与负载侧输出端子3b之间，且与扼流线圈9a并联连接。控制部10进行同步整流控制、中断控制、非同步整流控制的切换，并且对各开关元件q1～q6进行反馈控制。在同步整流控制中，整流电路8的开关元件q5、q6与开关电路7同步地驱动。在中断控制中，在从同步整流控制切换为非同步整流控制时，从基于通常占空比d的反馈控制替换(置换)成切换用占空比d′而控制开关电路7的驱动。在非同步整流控制时。北京裸板电源诚信为先大功率裸板电源_300W裸板电源。

这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

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并基于从脉冲生成部11接收到的脉冲信号t1～t6来驱动开关元件q1～q6。电源侧平滑电容器13对从电源2输入的直流电压进行平滑化。电源侧平滑电容器13的一端连接在电源侧输入端子2a与开关元件q1之间，另一端连接在开关元件q2与电源侧输出端子2b之间。对开关电源装置1的动作进行说明。首先，从电源2向开关电源装置1输入直流电压。接着，利用电源侧平滑电容器13对已被输入的直流电压进行平滑化。接着，开关电路7将已平滑化的直流电压转换为交流电压。更具体而言，通过以交替产生在开关元件q1、q4接通时开关元件q2、q3断开的状态、在开关元件q2、q3接通时开关元件q1、q4断开的状态的方式进行驱动，从而将直流电压转换为交流电压。在同步整流控制以及非同步整流控制时，开关元件q1～q4利用通常占空比d而被反馈控制。另外，在中断控制时，开关元件q1～q4利用切换用占空比d′而被驱动控制。已转换后的交流电压利用变压器7a从高电压变压到低电压。接着，已变压后的交流电压由整流电路8整流为直流电压。整流电路8根据来自同步整流控制部10d的信号进行同步整流控制、中断控制、非同步整流控制中的任意一个动作。另外，在从同步整流控制切换为非同步整流控制时。正规裸板电源优化价格

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