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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。开关电源板裸板5v4a介绍。黑龙江裸板电源价格便宜

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整流电路8的开关元件q5、q6不与开关电路7同步而是单独地驱动。控制部10的构成包括目标电压设定部10a、反馈控制部10b、控制量调整部10c、同步整流控制部10d、电流阈值计算部10e。目标电压设定部10a将预先设定的目标电压vref向反馈控制部10b发送。基于欲从电源2的电压向负载3输出的电压值来决定目标电压vref。反馈控制部10b对目标电压vref与输出电压vout进行比较，通过调整占空比来进行控制(反馈控制)以使输出电压vout接近目标电压vref。反馈控制部10b将根据目标电压vref和输出电压vout而确定的通常占空比d输出到脉冲生成部11和电流阈值计算部10e，并使用通常占空比d进行反馈控制。另外，反馈控制部10b在从控制量调整部10c被输入后述的切换用占空比d′的情况下，从通常占空比d替换成进行中断控制的切换用占空比d′，并输出到脉冲生成部11以及电流阈值计算部10e。控制量调整部10c在进行中断控制时，决定从通常占空比d替换成的切换用占空比d′。切换用占空比d′是在非同步整流控制中的扼流线圈9a中流过电流时的占空比的理想值，由以下的式(1)、(2)决定。【数学式1】【数学式2】在式(1)、(2)中，vs、vin为输入电压；vout为输出电压；iout为检测电流；fsw为开关频率。

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裸板型和U外壳型AC/DC电源安装应该注意哪几点?黑龙江裸板电源价格便宜

在t1时刻，流过副边开关电路101的电流下降到零，副边开关电路被断开。具体来说，当101两端电压大于第二阈值vth2(如-10mv)时认为电流基本上为0，第二比较器16的输出翻转，将***逻辑电路17复位，副边开关电路101被断开，续流阶段结束。因此[t0-t1]时间段是续流阶段，副边开关电路101的控制与传统的同步整流控制策略类似。图6～图10所示的实施方式作为示例说明，本领域技术人员可以有多种实施方式，实现在副边开关电路上有电流流过的时候导通副边开关电路，在其上电流到零的时候断开副边开关电路。[t1-t2]阶段，由于副边电流降至零，系统进入电流断续模式或者临界电流模式。如果此时出现触发信号，则副边开关电路101被再次导通。如当图7所示开关频率产生电路18指示当前开关频率(开关周期)达到参考开关频率(参考开关周期)，则产生触发信号，以再次导通副边开关电路101；或者如图8所示，由于此时101两端电压vdsr为零，谷底检测电路18检测到该谷底电压信息，产生触发信号，将副边开关电路101再次导通。图12、13所示为采用谷底开通技术的波形。在实际应用中，为了限制轻载时的频率，副边控制电路通常基于误差信号vea，产生一个**高频率的限制信号，即**小开关周期信号。黑龙江裸板电源价格便宜

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