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铸铁的“长大”是指腐蚀性气体沿着晶界、石墨和细裂缝渗进铸铁内部并发生了氧化，由于氧化产物的体积较大而加大了铸铁的尺寸，使工件的几何尺寸改变，机械强度下降。

氢腐蚀

腐蚀特征高温、高压氢环境中，氢扩散后，与钢中的碳及Fe，C反应产生甲烷，会造成表面严重脱碳和沿晶网状裂纹，使钢的强度和塑性大幅度下降。氢腐蚀起初是在生产氨的容器上发现的。炼油厂的加氢精制、加氢裂化、铂重整的预加氢等装置，均使材料面临苛刻的高温高压氢环境。在一些情况下，氢与钢中的碳及反应生成甲烷，会造成表面严重脱碳和沿晶网状裂纹，使钢的强度和塑性大幅度下降。 常州市丰裕科技有限公司主营喷涂业务，若有需要，欢迎咨询。江苏热喷涂有几种

化学气相沉积技术在材料制备中使用1.化学气相沉积法生产晶体、晶体薄膜化学气相沉积法不但可以对晶体或者晶体薄膜性能的改善有所帮助，而且也可以生产出很多别的手段无法制备出的一些晶体。化学气相沉积法常见的使用方式是在某个晶体衬底上生成新的外延单晶层，一开始它是用于制备硅的，后来又制备出了外延化合物半导体层。它在金属单晶薄膜的制备上也比较常见以及个别的化合物单晶薄膜（例如铁酸镍薄膜、钇铁石榴石薄膜等）。2.生产晶须晶须属于一种以为发育的单晶体，它在符合材料范畴中有着很大的作用，能够用于生产一些新型复合材料。化学气相沉积法在生产晶须时使用的是金属卤化物的氢还原性质。化学气相沉积法不但能制备出各类金属晶须，同时也能生产出化合物晶须，比如氧化铝、金刚砂、碳化钛晶须等等。3.化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜化学气相沉积法在半导体工业中有着比较普遍的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃等等。

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硫化高温气体中常含有硫蒸气、二氧化硫或硫化氢等成分，这些成分可起氧化剂的作用。金属和高温含硫介质作用生成金属硫化物而变质的过程称为金属的高温硫化。高温硫化对炼厂设备的破坏是很严重的。在加工含硫原油时，在设备高温部分(240～425℃)会出现高温硫的均匀腐蚀。腐蚀过程中，首先是有机硫化物转化为硫化氢和硫元素。硫化作用比氧化快。在大气或在燃烧产物(烟气)中有含S气体存在时，都会加速金属的腐蚀破坏，其主要原因如下：(1)金属硫化物与参加硫化的金属体积的比值大于金属氧化物与参加氧化的金属体积的比值。(2)金属硫化物的品格缺陷浓度比相应的氧化物要高(3)与金属氧化物相比，金属硫化物的熔点低得多，特别是当生成某些硫化物的共晶体时，熔点更低。

化学腐蚀是由于金属表面与环境介质发生化学作用而引起的腐蚀。当金属与非电解质相接触时，非电解质中的分子，非电解质中的分子(如、等)被金属表面所吸附，并分解为原子后与金属原子化合，生成腐蚀产物。若反应产物是挥发性的，则在金属表面形成不了保护性膜，腐蚀反应将继续下去；若反应产物能够附着在金属表面上，在反应起始，所生成的膜还不足以把金属表面与介质完全隔开，金属原子、离子或电子与介质中的原子将通过膜进行扩散，并在已形成的膜中相遇，发生反应，使膜加厚。由以上简单的分析可见，化学腐蚀的基本过程是介质分子在金属表面吸附和分解，金属原子与介质原子化合，反应产物或者挥发掉或者附着在金属表面成膜，属于前者时金属不断被腐蚀，属于后者时金属表面膜不断增厚，使反应速度下降。金属在干燥气体介质中(如高温氧化、氢腐蚀、硫化等)以及在非电解质溶液中(如苯、酒精等)发生的腐蚀都是化学腐蚀。常州市丰裕科技有限公司主营氧化铝喷涂，若有需要，欢迎垂询。

个客户用锤子敲击涂层，然后涂层凹进去了，客户说“涂层硬度不行啊，我淬火的钢都不可能敲变形，涂层一下就敲的凹进去了，说明你这个根本是硬度不够”。热喷涂的涂层有一个很重要的特性是脆性很大，我在跟客户交流的时候都会提醒客户“涂层不耐冲击”。涂层适合的是耐摩擦磨损，但是如果在摩擦磨损的同时还有撞击、腐蚀等情况，那么就需要慎重考虑是否采用喷涂工艺。因为撞击会破坏涂层，然后腐蚀就会从破损的地方侵蚀整个涂层和产品基体。用锤子把涂层敲击变形，不能证明任何问题，之前我已经详细解释了涂层的硬度如何判断。在这里我举一个很简单的例子：我们可以用手折断一根筷子，但是无法同时折断10根筷子，因为强度是不一样的。我们喷涂的涂层大部分只有0.2㎜左右，那么如果喷涂的厚度是10毫米呢？作者曾经喷涂过厚涂层达到了32㎜，异常坚硬，但是即使是这么厚的涂层，脆性依然没有改变，遇到强的撞击，依然会碎裂。常州市丰裕科技有限公司主营碳化钨喷涂，若有需要，欢迎咨询。浙江防静电涂层喷涂要多少钱

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气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在工件表面形成功能性或装饰性的金属、非金属或化合物涂层。气相沉积技术按照成膜机理，可分为化学气相沉积、物理类气相沉积和等离子体气相沉积。目前制备钨涂层可采用物理或化学气相沉积方法，或者将气相沉积方法结合其他制备技术，提高钨涂层的性能。化学气相淀积[CVD(ChemicalVaporDeposition)]，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。CVD特点：淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。

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