徐汇区碳化硅要多少钱

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的重要材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前普遍使用的高纯度硅），第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化镓） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被普遍使用的制作半导体芯片的基础材料。 在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。徐汇区碳化硅要多少钱

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。根据中国机床工业协会磨料磨具专委会碳化硅专家会的数据，截至2012年底，全球碳化硅产能达260万吨以上，产能达到1万吨以上的国家有13个，占全球总产能的98%。其中中国碳化硅产能达到220万吨，占全球总产能的84%。黄浦区碳化硅价格碳化硅具有节约能源、增强耐磨性等优点。

与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用，如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外，SiC还用于制造LED。碳化硅材料各项指标均优于硅，其禁带宽度几乎是硅的3倍，理论工作温度可达600℃，远高于硅器件工作温度。技术成熟度较高，应用潜力较大。碳化硅器件具有更低的导通电阻。在低击穿电压 (约 50V 下）,碳化硅器件的比导通 电阻只有 1.12uΩ,是硅同类器件的约 1/100。在高击穿电压 (约 5kV 下）,比导通电 阻提高到 25.9mΩ, 却是硅同类器件的约 1/300。 更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗,从而能获得更高的整机效率。

磨料用碳化硅其SiC含量应在98%以上。耐火资料用碳化硅又分为：耐火材料黑碳化硅，其SiC含量与磨料用碳化硅彻底相同；二级耐火资料黑碳化硅，SiC含量大于90%；低级耐火材料黑碳化硅，SiC含量大于83%。脱氧剂用碳化硅，SiC含量一般要求大于90%。但炭素工业石墨化炉保温猜中碳化硅含量大于45%的经过处理也可用做炼钢脱氧剂。脱氧剂用碳化硅有粉末状与成型块两种。粉末状脱氧剂黑碳化硅一般有4～0.5mm和0.5～0.1mm两种粒度。电工用碳化硅有两种类别：电热元件用绿碳化硅，其本质与磨料用绿碳化硅彻底一样。避雷器用碳化硅，其电功用要求特别，不同于磨料用耐火资料用黑碳化硅。碳化硅可以利用硅与氧元素之间的亲和作用来脱氧。

尽管当前可用的基于Si的晶体管已接近其在*面积极限上的R ，但生产SiC器件的技术仍处于学习曲线的早期阶段。因此，我们可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，对于给定的导通电阻和击穿电压，SiC MOSFET所需的管芯面积比常规硅MOSFET显着更少。因此，它将具有较小的电容和较低的栅极电荷，这转化为较低的开关损耗和较高的效率。较高的导热率反映为较低的热阻。SiC MOSFET的面积相等时，其热阻要低得多，从而可以降低工作结温。尽管先前描述了所有优点，但以前SiC晶体管的高成本使其只能用于优越工业市场（例如，石油钻探电源，电源系统等）的专门用应用中。影响其成本的主要因素归因于诸如SiC衬底的成本较高和可用性较低，SiC制造工艺的成本较高以及生产率较低（主要归因于衬底的缺陷密度较高）等因素。碳化硅比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。徐汇区碳化硅要多少钱

碳化硅被普遍应用于炼钢脱氧、铸造球墨化、耐磨制品生产等领域。徐汇区碳化硅要多少钱

因为硬脆材料的抗拉强度比抗压强度要小，对磨粒施加载荷时，会在硬脆材料表面的拉伸应力的较大处产生微裂纹。当纵横交错的裂纹延伸且相互交叉时，受裂纹包围的部分就会破碎并崩离出小碎块。此为硬脆材料研磨时的切屑生成和表面形成的基本过程。由于碳化硅材料属于高硬脆性材料，需要采用专门用的研磨液，碳化硅研磨的主要技术难点在于高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤、微裂纹和残余应力，碳化硅晶圆减薄后会产生比碳化硅晶圆更大的翘曲现象。 徐汇区碳化硅要多少钱

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