闵行区碳化硅

时间:2023年05月09日 来源:

2012年**季度,中国钢铁厂开工率较低,只有到10月份以后钢厂增加了开工率,对原料和耐火材料的消耗才略有增加,消耗了部分库存。据海关统计显示:2012年全年,中国碳化硅出口16.47万吨,同比下降23.83%,出口2.75亿美元,同比下降44.28%,出口平均价格1671.53美元/吨,同比下降26.84%。出口量价大幅度下降。全年领证量合计17.1万吨,占全年出口量的104%。生产的碳化硅主要的出口国家有美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。从出口的20个省市分析,比2011年增加了一个新疆。出口数量在万吨以上的省市分别依次为宁夏、河南、江苏、北京、辽宁和山东,合计出口量11.8万吨,占出口总量的71.64%,市场份额分别为18.21%、12.99%、12.71%、11.4%、9.72%和6.61%,六个省市出口数量均呈下滑态势,其中宁夏同比下滑幅度较高,为32.62%;从出口单价看,同比下滑幅度较大的是辽宁,达35.3%,宁夏和江苏的单价同比下滑也高于全国平均数。在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。闵行区碳化硅

目前碳化硅的抛光方法主要有:机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光(CMP)、电化学抛光(ECMP)、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀(CACP/CARE)、摩擦化学抛光(TCP,又称无磨料抛光)和等离子辅助抛光(***)等。化学机械抛光(CMP)技术是目前半导体加工的重要手段,也是目前能将单晶硅表面加工到原子级光滑较有效的工艺方法,是能在加工过程中同时实现局部和全局平坦化的实用技术。CMP的加工效率主要由工件表面的化学反应速率决定。通过研究工艺参数对SiC材料抛光速率的影响,结果表明:旋转速率和抛光压力的影响较大;温度和抛光液pH值的影响不大。为提高材料的抛光速率应尽量提高转速,虽然增加抛光压力也可提高去除速率,但容易损坏抛光垫。嘉定区碳化硅批发价格碳化硅在高于2000 °C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。

如果只算碳化硅芯片,在功率半导体方面碳化硅的对比传统硅基功率芯片,有着无可比拟的优势:碳化硅能承受更大的电流和电压、更高的开关速度、更小的能量损失、更耐高温。因此用碳化硅的做成的功率模组可以相应的减少了电容、电感、线圈、散热组件的部件,使得整个功率器件模组更加轻巧、节能、输出功率更强,同时还增强了可靠性,优点十分明显,具体总结如下: 1、更低的阻抗,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率; 2、适用于更高频率和更快的开关速度; 3、较佳的高温特性,能在更高温度下工作。

纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体,已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。碳化硅的工业制法是用优越石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一。

碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料,在国内也称为第三代半导体材料。在半导体业内从材料端分为: 一代元素半导体材料:如硅(Si)和锗(Ge); 第二代化合物半导体材料:如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等; 第三代宽禁带材料:如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景较明朗的半导体材料,堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分而制成各种粒度的产品。上海碳化硅有哪些品牌

碳化硅可以称为金钢砂或耐火砂。闵行区碳化硅

开关频率高于20KHz时,全SiC模块的输出功率比IGBT模块高100%以上。此外,输出功率对开关频率的依赖也小。反过来,全SiC功率模块可用于非常高的开关频率,因为与10kHz时的输出功率相比,40kHz时的输出功率只低28%。当开关频率低于5kHz时,IGBT模块显示出较高的输出功率。这是以内全SiC的模块中所用的SiC芯片组是针对非常高的开关频率而优化的。针对较低开关频率的优化也是可能的。再次,通过考虑用于硅和SiC芯片的芯片面积,来处理这两个模块的功率密度是有用的。在图4b中,输出功率除以芯片面积得到功率密度。 闵行区碳化硅

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