松江区碳化硅

时间:2023年05月30日 来源:

由于二极管是基于10A额定电流进行比较的,考虑不同供应商的器件之间有时不同的额定电流定义是很重要的。为了更加深入地了解器件性能,画出电流密度(正向电流除以芯片面积)与正向压降之间的关系是有用的,它考虑到了芯片的面积。显示了等效电流密度,传统硅二极管和SiC肖特基二极管具有非常相似的正向压降,而快速硅二极管的Vf仍然是较高的。换句话说,当使用相同的芯片面积时,硅二极管和SiC二极管具有可比的静态损耗。通常SiC芯片尺寸更小,由于额度电流的确考虑到了静态和动态损耗,额定电流,所以带来较小的总损耗,因此缩小了芯片的尺寸。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。松江区碳化硅

在开关电源系统中,二极管一般被用作整流、续流保护等。用做整流时,经常会因为整流二极管的反向恢复时间过长,进而导致转换效率降低,发热增加。虽然使用肖特基二极管可解决反向恢复问题,但普通硅(Si)肖特基二极管的击穿电压很低(通常低于200V),再加上降额设计,不适合高压应用。而用碳化硅(SiC)制作的肖特基二极管耐压可达1200V,反向恢复电流几乎可忽略不计,因而能有效减小器件的开关损耗,同时,还可简化开关电源电路中的保护电路,是公司提供的使用碳化硅肖特基二极管后对Boost型拓扑结构开关电源的简化。 松江区碳化硅碳化硅的工业制法是用优良石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。

与传统硅基器件相比,SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍,导热系数是传统硅基器件的3倍,非常适合于高压应用,如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外,SiC还用于制造LED。碳化硅材料各项指标均优于硅,其禁带宽度几乎是硅的3倍,理论工作温度可达600℃,远高于硅器件工作温度。技术成熟度较高,应用潜力较大。碳化硅器件具有更低的导通电阻。在低击穿电压 (约 50V 下),碳化硅器件的比导通 电阻只有 1.12uΩ,是硅同类器件的约 1/100。在高击穿电压 (约 5kV 下),比导通电 阻提高到 25.9mΩ, 却是硅同类器件的约 1/300。 更低的导通电阻使得碳化硅电力电子器件具有更小的导通损耗,从而能获得更高的整机效率。

于常规硅二极管相比,SiC肖特基二极管的反向恢复电流IRRM要低50%以上,反向恢复电荷QRR降低了14倍,关断损耗Eoff降低了16倍。Si-快速二极管显示了比常规硅二极管更好的特性,但它不会达到SiC肖特基二极管那样的优异动态特性。由于SiC肖特基二极管动态损耗低,可以明显减少逆变器损耗,节约用于冷却的开支并且增加逆变器的功率密度。此外,低动态损耗使SiC肖特基二极管非常适合高开关频率。另一方面,快速开关的续流二极管可能有个缺点,反向电流非常陡峭的下降可能导致电流截止和振荡。碳化硅至少有70种结晶型态。

2012年**季度,中国钢铁厂开工率较低,只有到10月份以后钢厂增加了开工率,对原料和耐火材料的消耗才略有增加,消耗了部分库存。据海关统计显示:2012年全年,中国碳化硅出口16.47万吨,同比下降23.83%,出口2.75亿美元,同比下降44.28%,出口平均价格1671.53美元/吨,同比下降26.84%。出口量价大幅度下降。全年领证量合计17.1万吨,占全年出口量的104%。生产的碳化硅主要的出口国家有美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。从出口的20个省市分析,比2011年增加了一个新疆。出口数量在万吨以上的省市分别依次为宁夏、河南、江苏、北京、辽宁和山东,合计出口量11.8万吨,占出口总量的71.64%,市场份额分别为18.21%、12.99%、12.71%、11.4%、9.72%和6.61%,六个省市出口数量均呈下滑态势,其中宁夏同比下滑幅度较高,为32.62%;从出口单价看,同比下滑幅度较大的是辽宁,达35.3%,宁夏和江苏的单价同比下滑也高于全国平均数。碳化硅可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍。金山区碳化硅报价哪家便宜

工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色。松江区碳化硅

绿碳化硅是以石油焦和优越硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。碳化硅(SiC)由于其独特的物理及电子特性, 在一些应用上成为较佳的半导体材料: 短波长光电器件, 高温, 抗幅射以及高频大功率器件,其主要特性及与硅(Si)和砷化镓(GaAs)的对比如下。由于碳化硅的宽能级, 以其制成的电子器件可在极高温下工作,这一特性也使碳化硅可以发射或检测短波长的光, 用以制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器。松江区碳化硅

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